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J-GLOBAL ID：202002242562416491   整理番号：20A2239236

インフォマティクスを活用したシリコン粒界中の炭素偏析サイトの探索

Informatics-Aided Investigation of Carbon Segregation Sites in Silicon Grain Boundaries

著者 (5件)： 野田祐輔 (名古屋大 工) ,  横井達矢 (名古屋大 工) ,  中村篤智 (名古屋大 工) ,  松永克志 (名古屋大 工) ,  松永克志 (JFCC)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15a-A205-10  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 安価で大量生産が可能な太陽電池材料として多結晶シリコンが注目されているが、多結晶シリコンのインゴット内部では酸素・炭素・金属元素などの微少量の点欠陥が電子・正孔の再結合を誘引し、変換効率を低下させるという欠点がある[1]。この問題点を克服...【本文一部表示】

シソーラス用語： *結晶粒界 ,  再結合 ,  正孔 ,  太陽電池 ,  点欠陥 ,  不純物 ,  *偏析 ,  大量生産 ,  *ケイ素 ,  *炭素 ,  ニューラルネットワーク ,  インゴット ,  多結晶 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： インフォマティクス ,  活用 ,  シリコン ,  粒界 ,  炭素 ,  偏析 ,  探索