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J-GLOBAL ID：202002242792928495   整理番号：20A2781807

半導体ナノ構造における放射再結合と衝突イオン化(レビュー)【JST・京大機械翻訳】

Radiative Recombination and Impact Ionization in Semiconductor Nanostructures (a Review)

著者 (6件)： Mikhailova M. P. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Ivanov E. V. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Danilov L. V. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Kalinina K. V. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Yakovlev Yu. P. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Kop’ev P. S. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 12  ページ： 1527-1547  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク半導体,高いポテンシャル障壁を有するヘテロ構造,深い量子井戸を有するナノ構造,および量子ドットを有するナノ結晶に基づく発光構造における放射再結合と衝撃イオン化のプロセスをレビューした。研究した全ての構造における量子効率とルミネセンス光パワーの増強は,通常の物理的機構,特に,電流ポンピング下のヘテロ界面での高バンドオフセットで加熱されたホットキャリアによる付加的電子-正孔対の生成,または高エネルギー光子による照明下の多重励起子発生時のナノ結晶中のキャリアの増倍により起こることを示した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  発光 ,  *半導体 ,  ルミネセンス ,  *衝突イオン化 ,  ポテンシャル障壁 ,  ホットキャリア ,  量子井戸 ,  *ナノ構造 ,  バンドオフセット ,  量子ドット ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  ヘテロ界面 ,  *放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 放射再結合 ,  衝撃イオン化 ,  ヘテロ構造 ,  量子井戸 ,  量子ドット

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体ナノ構造 ,  放射再結合 ,  衝突イオン化 ,  レビュー