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J-GLOBAL ID：202002242801558545   整理番号：20A0333071

磁気抵抗ランダムアクセスメモリ接合の品質保証のための非破壊イメージング【JST・京大機械翻訳】

Non-destructive imaging for quality assurance of magnetoresistive random-access memory junctions

著者 (17件)： Jackson E (Department of Electronic Engineering, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom) ,  Wu Y (Department of Electronic Engineering, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom) ,  Frost W (Department of Electronic Engineering, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom) ,  Kim J-Y (Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom) ,  Samiepour M (Department of Electronic Engineering, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom) ,  Elphick K (Department of Electronic Engineering, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom) ,  Sun M (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Kubota T (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Kubota T (Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takanashi K (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takanashi K (Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takanashi K (Center for Science and Innovation in Spintronics, Core Research Cluster, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ichinose T (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Mizukami S (Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Mizukami S (Center for Science and Innovation in Spintronics, Core Research Cluster, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Mizukami S (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Hirohata A (Department of Electronic Engineering, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 1  ページ： 014004 (11pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい非破壊サブ表面界面イメージング技術を開発した。入射電子の侵入深さを制御することによって,走査電子顕微鏡における電子ビーム加速電圧の制御を通して,表面下界面を観察することができた。画像化のための電圧はモンテカルロ電子飛行シミュレーションに基づいて選択され,そこでは,2つの電圧は,調査の下で埋め込まれた界面の上と下の層で生成された後方散乱電子の数の間で>5%の差を有する。非破壊的性質のために,このイメージング法は印加電流と電圧に沿って使用でき,界面構造と輸送特性の同時観測,例えば有効で活性な接合面積を発生させることができる。磁気ランダムアクセスメモリに用いられる磁気トンネル接合を画像化し,そのデータをフィードバックして,それらの製造プロセスを改善した。したがって,このイメージング法は,磁気メモリとナノ電子デバイスの品質保証と開発ツールの両方として非常に有用である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *画像処理 ,  *磁気 ,  後方散乱 ,  電圧 ,  飛行シミュレーション ,  侵入度 ,  界面 ,  磁気メモリ ,  電子ビーム ,  モンテカルロ法 ,  走査電子顕微鏡 ,  画像技術 ,  *品質保証 ,  生産工程 ,  電流

分類 (1件)： 光学情報処理  (BD03060T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  品質保証 ,  イメージング