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J-GLOBAL ID：202002242845468579   整理番号：20A0226665

高分子Electron-リザーバ錯体とデバイスの設計と機能【JST・京大機械翻訳】

Design and Functions of Macromolecular Electron-Reservoir Complexes and Devices

著者 (1件)： Astruc Didier (ISM, UMR CNRS No 5255, Univ. Bordeaux, Talence Cedex, France)
資料名： Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials  (Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials)
巻： 30  号： 1  ページ： 111-120  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0462A  ISSN： 1574-1443  CODEN： JIOPE4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本ミニレビュー論文では,著者の研究室で開発された電子貯留層材料の概念を要約した。モノ-及び二金属電子貯留層錯体から出発し,それらの電子的及び触媒的性質から,この概念はメタロデンドリマ,メタロポリマ及びマクロ分子安定化後期遷移金属ナノ粒子を含む高分子電子-リザーバーデバイスに拡張した。これらのデバイスにおける電子スイッチを,両方の利用されたレドックス形態を安定化するための構造依存性の可能性と同様に議論する。レドックス金属高分子及びナノ粒子を含む触媒及びエネルギー関連応用及びそれらの潜在的拡張について簡単に考察した。巨大フェロセン及びペンタメチルフェロセン系デンドリマ及び高分子は,酸化及び還元型の両方で分離された典型的な電子リザーバ高分子であり,同じ電位で電子の大きな流れを運ぶ能力を有する。酸化還元スイッチによる金属高分子の劇的な構造的およびサイズ変化は,分子機械によるものである。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化還元反応 ,  *錯体 ,  フェロセン ,  触媒 ,  電位 ,  ナノ粒子 ,  *高分子 ,  寸法変化
準シソーラス用語： 分子機械 ,  構造依存性 ,  金属ナノ粒子 ,  貯留層 ,  *リザーバー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Electron貯留層 ,  メタロデンドリマ ,  金属高分子 ,  フェロセン ,  レドックススイッチ

分類 (5件)： 触媒の調製  (CB06110P) ,  高分子担体・触媒反応  (CG03030W) ,  遷移金属錯体一般  (CE01040N) ,  その他の高分子材料  (YH07150C) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高分子 ,  リザーバ ,  錯体 ,  設計