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J-GLOBAL ID：202002242853831884   整理番号：20A2781840

トポロジカル1T’-MoS_2ナノリボンにおけるバリスティックコンダクタンス【JST・京大機械翻訳】

Ballistic Conductance in a Topological 1T ’-MoS₂ Nanoribbon

著者 (4件)： Sverdlov V. (Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria) ,  El-Sayed E. A.-M. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria) ,  Kosina H. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria) ,  Selberherr S. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 12  ページ： 1713-1715  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その1T’相中のMoS_2シートは二次元トポロジー絶縁体である。それは,トポロジー保護のために,逆散乱に鈍感であり,デバイスチャネルに適している高導電性エッジ状態を有する。広い1T’-MoS_2シートにおけるトポロジーと従来の絶縁体相の間の遷移は,シートに直交する電場によって制御された。チャネルを通して電流を高めるために,いくつかの狭いナノリボンを積層した。1T’-MoS_2の狭いナノリボン中のサブバンドを,有効k_pハミルトニアンを用いて評価する。広いチャネルとは対照的に,ナノリボン中のエッジ状態のスペクトルの小さなギャップは電場と共に増加する。それは,電場によるナノリボンコンダクタンスの急速な減少をもたらし,電流スイッチングに適している。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ハミルトニアン ,  位相幾何学 ,  電場 ,  電流 ,  スペクトル ,  二次元 ,  チャネル ,  *コンダクタンス ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： エッジ状態 ,  *ナノリボン ,  サブバンド ,  電流スイッチ , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (1件)： ナノリボン