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J-GLOBAL ID：202002242986801469   整理番号：20A0584360

大面積オプトエレクトロニクスのための欠陥のないIn_2Se_3フレークの超高速電気化学合成【JST・京大機械翻訳】

Ultrafast Electrochemical Synthesis of Defect-Free In₂Se₃ Flakes for Large-Area Optoelectronics

著者 (11件)： Shi Huanhuan (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany) ,  Li Mengmeng (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany) ,  Li Mengmeng (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China) ,  Li Mengmeng (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Shaygan Nia Ali (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany) ,  Wang Mingchao (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany) ,  Park SangWook (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany) ,  Zhang Zhen (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany) ,  Lohe Martin R. (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany) ,  Yang Sheng (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany) ,  Feng Xinliang (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Department of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Mommsenstrasse 4, 01062, Dresden, Germany)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 32  号： 8  ページ： e1907244  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その厚さ依存性の直接バンドギャップと例外的な光電子特性のために,セレン(III)セレン化物(In_2Se_3)はエレクトロニクスとオプトエレクトロニクスのための重要な半導体として出現した。しかしながら,欠陥のないIn_2Se_3フレークの拡張可能な合成は,その実用化のための重要な障壁のままである。ここでは,非水性媒体中のバルク層状In_2Se_3結晶の超高速剥離のための容易な電気化学的戦略を提示し,大きな横サイズ(最大26μm)を有する無欠陥In_2Se_3フレークの高収率(83%)生産をもたらした。テトラヘキシルアンモニウム(THA+)イオンのインターカレーションは,主に,3層のIn_2Se_3層が,1層のTHA分子によって占められる段階-3層間化合物を生成する。その後の剥離は大部分の三層In_2Se_3ナノシートをもたらす。概念の証明として,剥離In_2Se_3フレークで埋め込まれた溶液処理,大面積(400μm×20μm)薄膜光検出器は,それぞれ41と39msの上昇と減衰を伴う超高速応答時間と効率的応答性(1mA W-1)を明らかにした。このような性能は遷移金属ジカルコゲニドに基づく最先端の薄膜光検出器の大部分を凌ぐ。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 層間化合物 ,  *オプトエレクトロニクス ,  インターカレーション ,  光電子 ,  *電気化学 ,  応答特性 ,  セレン化物 ,  光検出器 ,  ナノシート ,  *電解合成 ,  薄膜 ,  二次元 ,  半導体 ,  結晶 ,  *電子技術

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  欠陥のない欠陥 ,  電気化学的剥離 ,  セレン化インジウム ,  大面積オプトエレクトロニクス

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  オプトエレクトロニクス ,  欠陥 ,  フレーク ,  電気化学合成