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J-GLOBAL ID：202002243001377978   整理番号：20A1002766

溶融シリカ表面上の引かきによる変調の三次元数値シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Three dimensional numerical simulation of modulation by scratches on fused silica surface

著者 (3件)： Shu Yong (Aviation Maintenance NCO Academy, Air Force Engineering University, No. 23 Hangkong Road, Xinyang, Henan Province, 464000, PR China) ,  Duan Weiran (Artillery Engineering Department, Shijiazhuang Campus, Army Engineering University, No. 97 Heping West Road, Shijiazhuang, Hebei Province, 050003, PR China) ,  Jiao Changjun (Nanjing Astronomical Instruments Co., LTD, Chinese Academy of Sciences, No. 6-10 Huayuan Road, Nanjing, Jiangsu Province, 210014 PR China)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 205  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光学的製造中に発生した引かきは溶融シリカ成分のLIDT(レーザ誘起損傷閾値)性能に影響する。この影響のより良い理解を得るために,三次元FDTD(有限差分時間領域)シミュレーションを用いて,レーザ照射下でのスクラッチの光場分布,およびスクラッチとLIEF(光強度増強因子)の位置,形状および分布の間の関係を研究した。結果は,出口表面に位置するスクラッチが損傷を誘発する可能性が高いことを示した。単一引かきの幾何学的サイズはLIEF値に大きく影響する。同じ形状を持つ引かきのLIEFは幅が増加すると増加する。一方,引かきの幅が与えられると,そのLIEFは最初に増加し,次に減少し,最終的にそれは幾何学が変化するにつれて安定になる傾向がある。Hertz引かきに対して,隣接引かきのLIEFは,場強度の重ね合わせにより,単一引かきのそれよりも大きかった。Hertz引かき間の距離が遠くなると,場強度の重ね合わせは徐々に弱くなり,最終的に単一引かきのそれと同じレベルに達する。これらの結果は,光学部品の品質を改善するためのスクラッチの制御を助けることができる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 幾何学 ,  *シミュレーション ,  レーザ照射 ,  *石英ガラス ,  重合せ ,  *三次元 ,  有限差分時間領域法
準シソーラス用語： 光学部品 ,  光強度 ,  *数値シミュレーション ,  光学場 ,  時間領域 ,  スクラッチ ,  レーザ損傷閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 引かき ,  Hertzの引かき ,  LIEF

分類 (5件)： 光学的測定とその装置一般  (BD07010S) ,  光通信方式・機器  (ND10000B) ,  電子レンズ,電子エネルギー分析器  (BD02040Q) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 溶融シリカ ,  変調 ,  数値シミュレーション