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J-GLOBAL ID：202002243041103081   整理番号：20A0337903

柱状欠陥を持つ超伝導体における臨界電流密度の角度依存性に関するTDGLシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

TDGL Simulation on Angular Dependence of Critical Current Density in Superconductors with Columnar Defects

著者 (8件)： Yonezuka Rina (Department of Computer Science and Electronics, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Hamada Yusei (Department of Computer Science and Electronics, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Kamiji Kazunori (Department of Computer Science and Electronics, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Tanimura Kenta (Department of Computer Science and Electronics, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Yoshihara Takaki (Department of Computer Science and Electronics, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Otabe Edmund Soji (Department of Computer Science and Electronics, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Mawatari Yasunori (Electronics and Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Matsuno Tetsuya (National Institute of Technology, Ariake College, 150 Higashihagio-Machi, Omuta, Fukuoka 836-8585, Japan)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1293  号： 1  ページ： 012018 (8pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横磁場Bの下で超伝導体における量子化磁束線の運動を可視化するために,三次元時間依存Ginzburg-Landau(TDGL)方程式を数値的に解いた。TDGL方程式を用いて柱状ピンにおける臨界電流密度J_cの角度依存性を調べた。シミュレーションの結果,J_cは柱状ピンと量子化磁束線の間の角度θの増加とともに減少することを確認した。特にB=0.4では,J_cは20°と30°の間のθで急激に減少した。この結果を量子化磁束とピン間の重なり体積の計算結果と比較した。TDGL方程式による計算結果は,重複体積による計算結果と良く一致した。さらに,J_cを球,柱状および平面ピンのような種々のピンを用いて計算した。平面ピンは他の形状のピンよりも効果的であることが分かった。加えて,実験的に製作することは困難であるが,星形ピンのJ_cはTDGLシミュレーションによって得られた。星形ピンのJ_cは,高磁場中の柱状ピンに対する全ての種類の構成の中で最高の性能を示すことが分かった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三次元 ,  フラクソン ,  角度依存性 ,  強磁場 ,  時間依存性 ,  *臨界電流密度 ,  磁場 ,  可視化 ,  *シミュレーション ,  *超伝導体 ,  *柱状欠陥

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  磁性理論  (BM06020X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 柱状欠陥 ,  超伝導体 ,  臨界電流密度 ,  角度依存性 ,  シミュレーション