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J-GLOBAL ID：202002243422358380   整理番号：20A0661120

μ-DICを用いた冷却昇温過程の熱ひずみ分布解析

Analysis of thermal strain distribution during cooling and heating by μ-DIC method

著者 (3件)： 神田壮紀 (東レリサーチセ) ,  的場伸啓 (東レリサーチセ) ,  竹田正明 (東レリサーチセ)
資料名： エレクトロニクス実装学会講演大会講演論文集(CD-ROM)  (エレクトロニクス実装学会春季講演大会論文集(CD-ROM))
巻： 34th  ページ： ROMBUNNO.3P-10  発行年： 2020年 
JST資料番号： X0498B  ISSN： 1880-4616  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・PCBおよびSiC MOSFETについて,微少領域の冷却加熱過程における熱ひずみ分布をデジタル画像相関法(DIC法)で解析し,構成材の線膨張係数の相違により生じる部材内の熱ひずみ分布を可視化。
・アルミ材中微少領域の線膨張係数を算出し,本手法で得られたひずみの精度確認を行い,熱ひずみの精度に問題ないことを確認。

シソーラス用語： ディジタル画像 ,  相関 ,  歪測定 ,  *光学顕微鏡法 ,  歪分布 ,  プリント基板 ,  MOSFET ,  範囲 ,  過程 ,  冷却 ,  昇温 ,  評価 ,  係数 ,  可視化 ,  熱分析
準シソーラス用語： *ディジタル画像相関法 ,  *SiC MOSFET ,  *微少領域 ,  熱ひずみ分布 ,  冷却昇温過程 ,  信頼性評価 ,  線膨張係数 ,  冷却加熱過程 ,  *熱歪解析

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： DIC ,  昇温過程 ,  熱ひずみ ,  分布 ,  解析