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J-GLOBAL ID：202002243585773703   整理番号：20A1018452

CVD Bernal積層二層グラフェントランジスタにおける調整可能1/f雑音【JST・京大機械翻訳】

Tunable 1/f Noise in CVD Bernal-Stacked Bilayer Graphene Transistors

著者 (9件)： Tian Mengchuan (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Hu Qianlan (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Gu Chengru (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Xiong Xiong (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Zhang Zhenfeng (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Li Xuefei (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Wu Yanqing (Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Wu Yanqing (Institute of Microelectronics and Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Peking University, China) ,  Wu Yanqing (Frontiers Science Center for Nano-optoelectronics, Peking University, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 15  ページ： 17686-17690  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低周波雑音はほとんど全ての電子システムにおいて重要な性能制限因子である。例外的に高い電子移動度のような優れた特性のおかげで,グラフェンは将来の低雑音電子応用に対して高い可能性を有している。ここでは,化学蒸着したバーナールスタック二層グラフェンに基づくデュアルゲートグラフェントランジスタにおける低周波雑音の実験的解析を示した。作製した二重ゲート二層グラフェントランジスタは,それぞれトップゲートおよびバックゲート誘電体として原子層蒸着Al_2O_3およびHfSiOを採用した。著者らの結果は,定量的な電荷雑音モデルによって良く記述できる明白なM形状のゲート依存性雑音挙動を明らかにした。10Hzでの最小面積正規化雑音スペクトル密度は,室温で約3×10~10μm~2Hz~1と低く,グラフェン素子で以前に報告された最良の結果よりはるかに低かった。さらに,観測された雑音レベルは20Kの温度で10倍以上減少した。一方,雑音スペクトル密度振幅は,二重ゲート電圧により20Kで2桁以上調整できた。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *雑音 ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  雑音指数 ,  低周波雑音 ,  *1/f雑音 ,  化学蒸着 ,  正規化 ,  *グラフェン ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  二重ゲート ,  雑音スペクトル ,  トップゲート ,  *二層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Bern積層二層グラフェン ,  デュアルゲートトランジスタ ,  1/f雑音 ,  電荷雑音モデル ,  低温

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  二層グラフェン ,  トランジスタ ,  調整可能 ,  雑音