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J-GLOBAL ID：202002243608573447   整理番号：20A1190043

低照度下3.5Vの高い開回路電圧を持つiotデバイス用の両面非晶質Si五重接合太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Bifacial amorphous Si quintuple-junction solar cells for IoT devices with high open-circuit voltage of 3.5V under low illuminance

著者 (2件)： Konagai Makoto (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Tokyo, 158-0082, Japan) ,  Sasaki Ryo (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Tokyo, 158-0082, Japan)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 28  号： 6  ページ： 554-561  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-SiO_x:H/a-SiO_x:Hから成る水素化非晶質Si(a-Si:H)五重結合太陽電池をプラズマCVD法により作製した。全厚さは0.6~0.8μmであった。五重接合太陽電池の開回路電圧(V_oc)の照射強度(Pin)依存性を測定した。照射強度が1/10になったときの開回路電圧のΔV_oc(1/10)の減少は62mV/セルであった。VOCは1mW/cm2(約1000lux)の照射強度から急速に低下した。この大きなVoc低減は漏れ電流に起因する。次に,漏れ電流の起源を検討し,最後に,漏れ電流を改善することにより,3.5Vの非常に高い開回路電圧V_ocをLED光照射下で実証した。さらに,漏れ電流の効果とi-a-Si(O):Hの膜品質を含む照射強度の関数としてVocを理論的に解析した。シミュレーション結果から,低照度下でのIoTデバイス応用のための十分なVoc-Pin特性を得るためには,シャント抵抗Rshを増加させ,i-a-Si(O):hの欠陥密度を下げる必要があることが分かった。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *照度 ,  接合 ,  *太陽電池 ,  水素化 ,  光照射 ,  *非晶質 ,  漏れ電流 ,  プラズマCVD ,  欠陥密度 ,  *アモルファスシリコン
準シソーラス用語： *開回路電圧 ,  シャント抵抗 ,  モノのインターネット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 非晶質シリコン ,  五重接合 ,  太陽電池 ,  低照度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 照度 ,  開回路電圧 ,  IoTデバイス ,  両面 ,  非晶質Si ,  太陽電池