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J-GLOBAL ID：202002243986439691   整理番号：20A0674171

増強された谷分裂を有するCoドープMoS_2単分子層の合成【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of Co-Doped MoS₂ Monolayers with Enhanced Valley Splitting

著者 (31件)： Zhou Jiadong (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Lin Junhao (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Lin Junhao (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Sims Hunter (Department of Physics and Astronomy, Vanderbilt University, Nashville, TN, 37235, USA) ,  Sims Hunter (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Lab, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Jiang Chongyun (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Jiang Chongyun (College of electronic information and optical engineering, Nankai University, Tianjin, 300350, China) ,  Cong Chunxiao (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Cong Chunxiao (State Key Laboratory of ASIC & System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai, 200433, P. R. China) ,  Brehm John A. (Department of Physics and Astronomy, Vanderbilt University, Nashville, TN, 37235, USA) ,  Brehm John A. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Lab, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Zhang Zhaowei (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Niu Lin (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Chen Yu (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Zhou Yao (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Wang Yanlong (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Liu Fucai (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhu Chao (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Yu Ting (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Suenaga Kazu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Mishra Rohan (Department of Mechanical Engineering and Materials Science and Institute of Materials Science and Engineering, Washington University in St. Louis, St. Louis, MO, 63130, USA) ,  Pantelides Sokrates T. (Department of Physics and Astronomy, Vanderbilt University, Nashville, TN, 37235, USA) ,  Pantelides Sokrates T. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Lab, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Zhu Zhen-Gang (School of Electronic, Electrical and Communication Engineering, University of Chinese Academy of Science, Beijing, 100049, China) ,  Zhu Zhen-Gang (CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Gao Weibo (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Liu Zheng (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Liu Zheng (Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical & Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Liu Zheng (CINTRA CNRS/NTU/THALES, UMI 3288, Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, Border X Block, Level 6, Singapore, 637553, Singapore) ,  Zhou Wu (CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Zhou Wu (School of Physical Sciences and CAS Key Laboratory of Vacuum Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 32  号： 11  ページ： e1906536  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2単分子層における磁気ドーパントにより誘起された内部磁気モーメントは,谷Zeeman分裂(VZS)を技術者に対する新しい手段として役立つことを示した。具体的には,磁性元素Coをドープした単層MoS_2の合成の成功を報告し,谷分裂の大きさをドーパント濃度を操作することにより設計した。Co濃度が0.8%,1.7%,および2.5%のCoドープMoS_2における7Tにおける3.9,5.2,および6.15meVの谷分裂を,偏光分解光ルミネセンス(PL)分光法によって明らかにした。原子分解能電子顕微鏡研究により,MoS_2格子におけるCo置換の磁気サイトを明確に同定し,孤立した単一ドーパントと三ドーパントクラスタの二つの異なるタイプの配置を形成した。密度汎関数理論(DFT)とモデル計算により,観測された増強VZSは,伝導と価電子帯からのキャリアのスピン,原子軌道,および谷磁気モーメントに対する三ドーパントクラスタにより誘起された内部磁場から生じることを明らかにした。本研究では,層状半導体材料における磁気ドーパントを介して谷擬スピンを制御する新しい方法を実証し,磁気光学およびスピントロニクス素子への道を開いた。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁気モーメント ,  磁気 ,  半導体材料 ,  *単分子層 ,  価電子バンド ,  化学蒸着 ,  光ルミネセンス ,  密度汎関数法 ,  *ドーピング ,  内部磁場 ,  偏光 ,  電子顕微鏡観察 ,  二次元 ,  ドーパント ,  磁性

著者キーワード (5件)： 化学蒸着 ,  Coドーピング ,  MoS2 ,  2D材料 ,  谷分割

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  発光素子  (NC03082G) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 増強 ,  谷 ,  CO ,  ドープ ,  単分子層