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J-GLOBAL ID：202002244070357010   整理番号：20A0667242

フレキシブルトップゲートp型SnO TFTのバイアス応力安定性に及ぼす機械的曲げ歪の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of mechanical bending strain on bias-stress stability of flexible top-gate p-type SnO TFTs

著者 (4件)： Cheng I-Chun (National Taiwan Univ. (Taiwan)) ,  Hsu Shu-Ming (National Taiwan Univ. (Taiwan)) ,  Lin Wei-Chen (National Taiwan Univ. (Taiwan)) ,  Chen Jian-Zhang (National Taiwan Univ. (Taiwan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11304  ページ： 113040K-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,フレキシブルなコプレーナトップゲートp型SnO TFTを実証した。TFT性能をSnOチャネルの堆積後アニーリング温度を調整することによって最適化した。TFTのオン/オフ電流比は,チャネルアニーリング温度が上昇すると,最初に改善し,次に劣化した。175°Cの最適化アニーリング温度で,柔軟なSnO TFTは,0.71cm~2/Vsの電界効果移動度,5.2Vのしきい値電圧,1.6V/10年のサブ閾値スイング,および1.6x10~3のオン/オフ電流比を示した。最適化TFTのゲートバイアス応力安定性を調べた。TFTが平坦な状態にあるとき,10000sに対して+10Vと-10Vでバイアスをかけた後の閾値電圧シフトは,それぞれ0.2Vとほぼ0Vである。電気的安定性は,TFTが機械的引張と圧縮歪の両方を受けると,わずかに劣化する。0.25%の圧縮歪では,正と負のバイアス応力に対して,しきい値電圧シフトはそれぞれ0.8Vと-0.3Vに増加した。0.25%の引張歪で,対応する値は0.7Vと-0.2Vである。不動態化ボトムゲートSnO TFTと比較して,ゲートバイアス応力安定性は大幅に改善された。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  チャネル ,  不動態化 ,  バイアス ,  引張 ,  *最適化 ,  引張歪 ,  圧縮歪 ,  閾値電圧 ,  アニーリング温度 ,  *曲げ歪 ,  *改変
準シソーラス用語： ボトムゲート ,  閾値電圧シフト ,  ゲートバイアス ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： トップゲート ,  TFT ,  バイアス ,  応力 ,  安定性 ,  曲げ歪