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J-GLOBAL ID：202002244101365684   整理番号：20A1798526

インメモリコンピューティングのための小型メモリスタクロスバの自由BDDベースCAD【JST・京大機械翻訳】

Free BDD based CAD of Compact Memristor Crossbars for in-Memory Computing

著者 (4件)： Ul Hassen Amad (University of Central Florida, USA) ,  Khokhar Salman Anwar (University of Central Florida, USA) ,  Butt Haseeb Aslam (KTH Royal Institute of Technology, Sweden) ,  Jha Sumit Kumar (University of Central Florida, USA)
資料名： ACM Proceedings  (ACM Proceedings)
号： NANOARCH ’18  ページ： 107-113  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0698C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mooreの法則,Dennard Scalingの破壊,暗シリコン現象,プロセス変化,漏れ電流,および量子トンネリングは,今日,計算システムの更なる進歩に直面したハードルの幾つかである。結果として,新しいナノエレクトロニクスデバイスを用いた代替計算パラダイムに新たな関心が寄せられている。本研究では,スネクパスベースメモリコンピューティングのための小型メムリスタクロスバーのコンピュータ支援設計(CAD)のための自由二値決定図(FBDD)を用いた。固定変数順序の不在は,FBDDを,縮小順序二値決定図(ROBDDs)と呼ばれるそれらの規則化した対応物よりコンパクトにする。この設計は,コンパクトなFBDDをもたらす異なる経路に沿った異なる可変順序を選択するためのBoole関数の回路表現のサイズを使用した。著者らは,4ビット乗算器と他のRevLibベンチマークのためのコンパクトなクロスバーを設計することによって,著者らのアプローチを実証した。この合成プロセスは,乗算器の第四出力ビットに対する以前のFBDDベース合成よりも面積を50.1%削減する。全体として,著者らのアプローチは乗数面積を20.1%減少させた。Please refer to this article’s citation page on the publisher website for specific rights information. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  CAD【計算機】 ,  計算機システム ,  ケイ素 ,  乗算器 ,  Boole関数 ,  漏れ電流 ,  ベンチマーク
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  Mooreの法則 ,  *メモリスタ ,  決定図 ,  *インメモリコンピューティング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： BDD ,  二分決定図 ,  ブール関数 ,  クロスバー ,  メモリ内コンピューティング ,  メムリスタ ,  クロスバーの合成

分類 (4件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  CAD,CAM  (JE10000A) ,  グラフ理論基礎  (IA02020S) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (3件)： インメモリコンピューティング ,  BDD ,  CAD