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J-GLOBAL ID：202002244249507288   整理番号：20A0123313

MeVイオンビーム分析技術により研究したバイアス下の金属/Li電解質/金属キャパシタのLi深さプロファイル【JST・京大機械翻訳】

Li depth profiles of metal/Li-electrolyte/metal capacitors under biasing studied by means of MeV ion beam analysis techniques

著者 (4件)： Morita K. (Nagoya Industrial Science Research Institute, Department of Research, Noah Yotsuya Bld. 2F 1-13 Yotsuya-tori, Chikusa-ku, Nagoya 464-0819, Japan) ,  Tsuchiya B. (Meijo University, Department of General Education, Tempaku-ku, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Tsuchida H. (Kyoto University, Quantum Science Engineering Center, Gokasho, Uji 611-0001, Japan) ,  Majima T. (Kyoto University, Quantum Science Engineering Center, Gokasho, Uji 611-0001, Japan)
資料名： Solid State Ionics  (Solid State Ionics)
巻： 344  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0096B  ISSN： 0167-2738  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バッファTi層/SiO_2ガラスおよびAu/LATP/Au(LiPON=Li_3.3PO_3.8N_0.2,LATP=Li_3.1Al_0.84Ti_1.16Ge_1.27P_1.73O_12)上に調製したCu/LiPO/CuおよびAl/LiPO/Alの界面におけるLi深さプロファイルを,弾性反跳検出分析(ERD)およびRutherford後方散乱分光法(RBS)技術によってin situ測定した。Liは負にバイアスされた電極との界面近くで富化されていることが分かったが,それは正にバイアスされた近くでは枯渇していた。電位勾配下でのLiイオンのホッピング拡散モデルに基づいて,Liイオンの輸送を考慮して,電解質中のLi深さプロフィルを理論的に計算した。定常状態での拡散方程式の解として計算したLi深さプロフィルは実験結果と定性的に良く一致し,電解質中のLiイオンの輸送率は1以下であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バイアス ,  ホッピング伝導 ,  ガラス ,  *リチウム ,  拡散方程式 ,  Rutherford散乱分光法 ,  *電解質 ,  界面 ,  *深さプロフィル ,  電位 ,  *コンデンサ ,  *イオン ,  *イオンビーム
準シソーラス用語： 拡散モデル ,  ERD分析 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオンビーム分析 ,  研究 ,  バイアス ,  Li ,  電解質 ,  キャパシタ ,  深さプロファイル