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J-GLOBAL ID：202002244318687426   整理番号：20A2064006

トップゲートおよびデュアルゲート動作を有する紫外線溶液処理ZrO_x/IZOトランジスタに向けて:溶媒,前駆体,安定剤および添加元素の選択【JST・京大機械翻訳】

Toward ultraviolet solution processed ZrO_x/IZO transistors with top-gate and dual-gate operation: Selection of solvents, precursors, stabilizers, and additive elements

著者 (9件)： Jung Sung Hyeon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea) ,  Han Hyeon Seong (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Young Been (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Dong Su (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea) ,  Deshpande Nishad G. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea) ,  Oh Sang Jun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea) ,  Choi Ji Hoon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea) ,  Cho Hyung Koun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea) ,  Cho Hyung Koun (Research Center for Advanced Materials Technology, Sungkyunkwan University (SKKU), 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 847  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温処理酸化物薄膜トランジスタ(TFTs)は,深紫外(UV)照射を用いた溶液処理金属酸化物膜のプロセスにより開発されているが,それらは,まだ比較的貧弱な電気的性能および厳しい電気的および化学的不安定性に悩まされている。このUV被覆溶液は酸性または塩基性前駆体配位子からの化学的損傷を本質的に含む;したがって,トップゲートとデュアルゲートTFTは,プロセス設計の自由度を制限する構造的に固有の化学的損傷を受ける。高k酸化ジルコニウム(ZrO_x)のUV溶液コーティングに対して,溶媒,前駆体,安定剤および添加物の4つの機能性成分を用いた工学的概念解を提案した。ここで,提案した溶媒,安定剤,前駆体,および添加剤は,極性-アプロティック溶液,効果的な光分解,完全な前駆体溶解,および高い緻密化のために,それぞれ極性-アプロチックN,N-メチルホルムアミド,ジルコニウムアセチルアセトネート,エタノールアミン,およびオレイン酸を含む。超薄ZrO_x(15nm)は,1MV/cmで<10-11mA/cm2の低い漏れ電流密度,良好な絶縁破壊電圧,および1MHzで約260nF/cm2の一定の静電容量を明らかにした。ボトムゲートとトップゲートの両方の類似の移動特性と,二重ゲートにおける閾値電圧値の劣化のない24cm2/Vの電界効果移動度は,IZOとZrO_x積層順序に関係なく,ZrO_xの化学的に耐久性のあるプロセスと緻密なコーティング条件に関与した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *紫外線 ,  溶解 ,  ジルコニウム ,  被覆 ,  薄膜トランジスタ ,  酸化ジルコニウム ,  *安定剤 ,  緻密化 ,  静電容量 ,  *前駆体 ,  不飽和脂肪酸 ,  オレフィン化合物
準シソーラス用語： *二重ゲート ,  閾値電圧 ,  *トップゲート ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜トランジスタ ,  紫外線溶液プロセス ,  極性-非プロトン性溶媒 ,  pH工学 ,  有機添加剤

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： オレイン酸

タイトルに関連する用語 (10件)： トップ ,  ゲート ,  デュアルゲート ,  紫外線 ,  溶液処理 ,  トランジスタ ,  溶媒 ,  前駆体 ,  安定剤 ,  添加元素