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J-GLOBAL ID：202002244365023483   整理番号：20A2238200

有機金属気相エピタキシー成長におけるAlN(0001)表面でのステップ端における吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

Theoretical study for the adsorption-desorption behavior at the step-edge of AlN(0001) surfaces during MOVPE growth

著者 (5件)： 相可拓巳 (三重大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  PRADIPTO A.-M. (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-PB1-25  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに]III族窒化物におけるエピタキシャル成長では様々な表面モフォロジーが出現することが知られており、有機金属気相エピタキシャル(MOVPE)法においてはステップフロー成長により平坦なGaN層が得られている[1]。一方、AlNではステ...【本文一部表示】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *吸着 ,  *脱着 ,  *アルミニウム ,  ガリウム ,  *気相 ,  *窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  *MOCVD ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 表面形態 ,  第一原理計算 ,  形成エネルギー ,  水素原子 ,  窒素原子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相エピタキシー ,  成長 ,  AlN ,  吸着 ,  脱離 ,  挙動 ,  理論