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J-GLOBAL ID：202002244432773509   整理番号：20A1270760

GaAsベースナノヘテロ構造の有機金属化合物水素化物エピタクシーにおける素過程の原子間力顕微鏡検査【JST・京大機械翻訳】

Atomic Force Microscopy Examination of Elementary Processes in Metalorganic Compound Hydride Epitaxy of GaAs-Based Nanoheterostructures

著者 (6件)： Boldyrevskii P. B. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Filatov D. O. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Filatov A. D. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Kazantseva I. A. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Revin M. V. (Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Yunin P. A. (Institute of Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Technical Physics  (Technical Physics)
巻： 65  号： 5  ページ： 791-794  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0952A  ISSN： 1063-7842  CODEN： TEPHEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誤配向GaAs(001)基板上の(Al,Ga,In)Asヘテロ構造の低圧有機金属化合物水素化物エピタキシャル成長に含まれる素過程を原子間力顕微鏡を用いて研究した。GaAsとAlGaAsエピタキシャル層は,マイクロステップの形成を伴うステップ層状機構により成長することが分かった。シュードモルフィックInGaAs/GaAs(001)層もこの機構によりマクロステップの形成により成長する。しかし,In_xGa_1-_xAs/GaAs(001)シュードモルフィック層の厚さが固溶体に入るInAsのモル分率xに依存する臨界値を超えると,InGaAs層の厚さと共に増加する密度をもつInGaAs層の表面上に3D島状の成長欠陥が観察された。三次元InGaAs島は,Stranski-Krastanov機構によるInGaAs/GaAs(001)シュードモルフィック層における弾性応力緩和により成長する。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  固溶体 ,  臨界定数 ,  *ヒ化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  *有機金属化合物 ,  *水素化物 ,  緩和現象 ,  三次元 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *素反応 ,  *原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  弾性応力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  ヘテロ構造 ,  有機金属化合物 ,  水素化物 ,  エピタクシー ,  素過程 ,  原子間力顕微鏡 ,  検査