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J-GLOBAL ID：202002244529400488   整理番号：20A2236699

分光エリプソによるSiO₂上に成長途中のGe膜の解析

Analysis of optical spectra for intermediate stage of 3D Ge films growth on SiO₂

著者 (1件)： 赤沢方省 (NTT デバイスイノベーションセ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12a-D519-1  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】ドット成長におけるモフォロジー変化を理解するには、一旦成長を止めてAFMなどで評価するのが一般的であるが、表面付近の情報しか得られない。そこで我々は、その場観察可能な分光エリプソを用いて、ドットサイズ、ドット間距離、結晶性、ドッ...【本文一部表示】

シソーラス用語： 結晶化 ,  薄膜 ,  *ゲルマニウム ,  *二酸化ケイ素 ,  多結晶 ,  結晶度 ,  スペクトル ,  多層構造 ,  応答関数 ,  二次元 ,  薄膜成長 ,  三次元 ,  有効媒質近似 ,  光CVD
準シソーラス用語： 誘電応答 ,  二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分光 ,  SiO2 ,  成長 ,  Ge ,  解析