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J-GLOBAL ID：202002244625466520   整理番号：20A0064085

高温圧力センサのための炭化ケイ素とふっ化水素酸処理との直接結合【JST・京大機械翻訳】

Direct bonding of silicon carbide with hydrofluoric acid treatment for high-temperature pressure sensors

著者 (11件)： Li Jian (Institute of Bionic and Micro-nano Systems, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Li Jian (School of Mechanical Engineering and Automation, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Jiang Yonggang (Institute of Bionic and Micro-nano Systems, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Jiang Yonggang (School of Mechanical Engineering and Automation, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Li Hongchang (Institute of Bionic and Micro-nano Systems, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Li Hongchang (School of Mechanical Engineering and Automation, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Liang Xiaobo (Aviation Key Laboratory of Science and Technology on Special Condition Monitoring Sensor Technology, Advanced Sensor Technology Center, AVIC Beijing Changcheng Aeronautic Measurement and Control Technology Research Institute, Beijing, 101111, China) ,  Huang Manguo (Aviation Key Laboratory of Science and Technology on Special Condition Monitoring Sensor Technology, Advanced Sensor Technology Center, AVIC Beijing Changcheng Aeronautic Measurement and Control Technology Research Institute, Beijing, 101111, China) ,  Liu Defeng (Aviation Key Laboratory of Science and Technology on Special Condition Monitoring Sensor Technology, Advanced Sensor Technology Center, AVIC Beijing Changcheng Aeronautic Measurement and Control Technology Research Institute, Beijing, 101111, China) ,  Zhang Deyuan (Institute of Bionic and Micro-nano Systems, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Zhang Deyuan (School of Mechanical Engineering and Automation, Beihang University, Beijing, 100191, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 46  号： 3  ページ： 3944-3948  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶炭化ケイ素(SiC)の直接結合は,過酷な環境で使用される圧力センサの作製のための重要なプロセスである。本論文では,SiC表面上の酸化物を除去し,結合SiCウエハ間の酸化物中間層を除去するために,フッ化水素酸を用いた表面処理による直接接合プロセスを提示した。フッ化水素酸処理との直接結合後,酸化物中間層は電界放出走査電子顕微鏡とエネルギー分散分光分析でほとんど見えなかった。種々の接合温度と接合時間で接合したSiC試料の接合強度を評価した。酸化物中間層を持つ試料と比較して,直接接合で得られた結合強度は49%改善された。最大接合強度は,1100°Cの接合温度,50MPaの一軸圧力,および4時間の接合時間で,6.96MPaに達した。さらに,接合空洞の真空気密性も調べ,結果は真空センサ空洞が直接接合法で効果的に密封されることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 気密性 ,  圧力センサ ,  付着強さ ,  単結晶 ,  センサ ,  表面処理 ,  *炭化ケイ素 ,  酸化物 ,  接着強さ ,  エネルギー散逸 ,  *高温 ,  一軸 ,  分光分析 ,  接合
準シソーラス用語： 直接接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 直接ボンディング ,  炭化ケイ素 ,  圧力センサ ,  接着強さ ,  表面処理

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 圧力センサ ,  炭化ケイ素 ,  ふっ化水素酸