文献

J-GLOBAL ID：202002244641572689   整理番号：20A2253320

低損失と低非線形性の両方を有する曲がりシリコンスロット導波路【JST・京大機械翻訳】

Bent silicon slot waveguides with both low loss and low nonlinearity

著者 (4件)： Xu Yameng (Department of Optoelectronic Information Science and Technology, School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Li Jiaxuan (Department of Optoelectronic Information Science and Technology, School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Kong Mei (Department of Optoelectronic Information Science and Technology, School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Chen Chen (Department of Optoelectronic Information Science and Technology, School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 52  号： 10  ページ： 445  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に集積した線形光学系の開発により,小さな曲げ半径を有するシリコンスロット導波路に対して低損失と低非線形性の両方が要求される。本論文では,空気クラッドとシリカクラッドスロット導波路の曲げ半径による損失と非線形性の変化を計算し,変動の根底にある機構を明らかにした。対称シリコンアームを有するスロット導波路は,基板への重大な光パワー漏洩のため,低い非線形性と低い損失を同時に有さないことを示した。この問題を解決するために,非対称シリコンアームを採用した。内腕の幅を増加することによって,スロットにおける高電力閉込めを確実にして,これは同時に低い損失と低い非線形性を可能にした。5μm半径下のシリカクラッドスロット導波路は,それぞれ,40%,1.17×10-4dB/μmおよび16.41/W/mのパワー閉込め,損失および非線形性を得ることができ,これは,直線スロット導波路のそれらに匹敵することを示した。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 対称性 ,  電力 ,  *ケイ素 ,  非対称性 ,  *スロット導波管 ,  非線形性
準シソーラス用語： クラッド層 ,  曲げ半径 ,  高電力 ,  線形光学 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 曲がりスロット導波路 ,  非線形性 ,  損失 ,  電力閉込め

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低損失 ,  非線形性 ,  曲がり ,  シリコン ,  スロット導波路