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J-GLOBAL ID：202002244665714543   整理番号：20A0058075

調整可能な相補論理インバータ応用のための極性制御可能なMOS_2トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Polarity-controllable MoS₂ transistor for adjustable complementary logic inverter applications

著者 (7件)： Lin Che-Yu (Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan) ,  Simbulan Kristan Bryan ,  Hong Chuan-Jie ,  Li Kai-Shin ,  Zhong Yuan-Liang ,  Su Yan-Kuin ,  Lan Yann-Wen
資料名： Nanoscale Horizons  (Nanoscale Horizons)
巻： 5  号： 1  ページ： 163-170  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2469A  ISSN： 2055-6764  CODEN： NHAOAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,同じ素子でp型またはn型半導体として交互に動作できるMoS_2ベース電界効果トランジスタを紹介した。提案したデバイスは,トップゲート構造にプラズマ酸化誘電体層を加えることにより,可変の閾値電圧(V_th)で構成される。これは,比較的薄い成長した誘電体層による酸素の過剰と,底部誘電体層における正の分極の通常のものの代わりに,その層における負電荷の生成を容易にする。その結果,V_thシフトとトップゲート構造は典型的n型からp型にスイッチし,n型挙動はボトムゲート電圧の応用に留まった。V_thは,トップゲートにゲートパルス入力を適用することによって,さらに調整できる。従って,デバイスの酸化物層に誘起された電荷の極性によって制御可能な調整可能なデバイス特性を持つ相補的な論理インバータを実証した。これは,単一素子におけるn型とp型特性の同時実行に向けた大きなステップである。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸素 ,  *トランジスタ ,  酸化層 ,  誘電体 ,  負電荷 ,  電圧 ,  N型半導体 ,  極性 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  ボトムゲート ,  閾値電圧 ,  プラズマ酸化 ,  トップゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 医用素材  (GA05040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 論理 ,  インバータ ,  応用 ,  極性 ,  トランジスタ