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J-GLOBAL ID：202002244748813798   整理番号：20A1487673

グラフェン-金属接触の特性に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on the Characteristics of Graphene-metal Contact

著者 (5件)： Pan Chunyu (Beihang University,School of Automation Science and Electrical Engineering,Beijing,China) ,  Wu Jing (Beihang University,School of Automation Science and Electrical Engineering,Beijing,China) ,  Zhang Jingwen (Beihang University,School of Automation Science and Electrical Engineering,Beijing,China) ,  Huang Songling (Beihang University,School of Automation Science and Electrical Engineering,Beijing,China) ,  Long Yue (Beihang University,School of Automation Science and Electrical Engineering,Beijing,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： I2MTC  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好な電気的および機械的特性を有する新しいタイプの半導体材料として,グラフェンは広い用途を有する。グラフェンデバイスの性能に影響する重要な要因はグラフェンと金属の接触抵抗であり,従来の半導体接触抵抗よりはるかに高い。MOSFET構造に基づいて,グラフェン金属接触抵抗をLaudauer式によって分析し,グラフェン-金属原子距離を密度汎関数理論によってシミュレートした。シミュレーション結果は,グラフェン-金属接触がグラフェン-Pdのような化学的吸収とグラフェン-Ptのような物理的吸収である2種類の特性を有することを示した。提示した解析とシミュレーション法で計算したグラフェン-Pdとグラフェン-Ptの接触抵抗は実験結果と一致した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的性質 ,  シミュレーション ,  接触抵抗 ,  半導体 ,  MOSFET ,  半導体材料 ,  密度汎関数法 ,  *グラフェン

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  研究