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J-GLOBAL ID：202002244802014691   整理番号：20A1336114

高温高圧法によるPイオン注入グラファイトのダイヤモンド直接変換

著者 (10件)： 大津山健 (愛媛大 工) ,  福田玲 (愛媛大 工) ,  村上洋平 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 工) ,  石川史太郎 (愛媛大 GRC) ,  松下正史 (愛媛大 工) ,  松下正史 (愛媛大 GRC) ,  大藤弘明 (愛媛大 GRC) ,  新名亨 (愛媛大 GRC) ,  入舩徹男 (愛媛大 GRC)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2019  ページ： 94  発行年： 2019年07月21日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】ダイヤモンドは、5.5eVという広いバンドギャップ、物質最高の熱伝導率、硬度、優れた対放射線性、低い誘電率などから耐環境性に優れた半導体材料であり、電子デバイスへの応用が可能である。化学気相体積法(CVD)または高温高圧法(HP...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  熱拡散 ,  熱伝導率 ,  薄膜 ,  不純物 ,  誘電率 ,  *ダイヤモンド ,  *イオン注入 ,  半導体材料 ,  *グラファイト ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  導電性
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  多結晶ダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高温高圧 ,  Pイオン ,  注入 ,  グラファイト ,  ダイヤモンド ,  直接変換