金属-オキシド-半導体デバイスの破壊過渡現象に及ぼす二酸化物スタックの影響:実験的研究【JST・京大機械翻訳】

Pazos S. M.; Boyeras Baldoma S.; Aguirre F. L.; Krylov I.; Eizenberg M.; Palumbo F.

文献

J-GLOBAL ID：202002245324515812 整理番号：20A1068905

金属-オキシド-半導体デバイスの破壊過渡現象に及ぼす二酸化物スタックの影響:実験的研究【JST・京大機械翻訳】

Impact of bilayered oxide stacks on the breakdown transients of metal-oxide-semiconductor devices: An experimental study

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資料名：
巻： 127 号： 17 ページ： 174101-174101-10 発行年： 2020年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

進行性破壊の動力学に及ぼすゲート酸化物の二層構造の役割を,Au/Cr/HfO_2/Al_2O_3/InGaAs金属-オキシド-半導体スタック上で系統的に研究した。異なるAl_2O_3界面層厚を用いて,100Åの全厚さの二層酸化物を有する試料を作製し,絶縁体材料と大きく異なる電気的および熱的性質を組み合わせた効果を調べた。絶縁破壊電流成長速度dI_BD/dtを,低および高帯域幅測定装置によって捕捉し,そして,結果を,元々,単一層状酸化物に対して導き出されたエレクトロマイグレーションに基づく進行性破壊モデルのフレームワークにおいて比較した。実験結果は,界面層がより厚いと,同じ範囲でdI_BD/dt値を得るために必要な印加電圧に関して明確な増加が観察されることを示した。しかし,この効果はAl_2O_3層に対して10Å以上の厚さでは観測されなかった。これは,二層構造を横切る電気的応力分布と破壊点の温度を下げるのに寄与するAl_2O_3の熱的特性の両方に関連している。これらの特徴を説明するために進行性破壊モデルを修正し,実験結果との良好な一致を示し,進行性破壊中に既に破壊された層の一つを考慮したモデルでは説明できない挙動を示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電気伝導

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