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J-GLOBAL ID：202002245343543032   整理番号：20A0147622

原子論的シミュレーションによる多結晶マグネシウムの動的再結晶挙動に及ぼす引張双晶の影響【JST・京大機械翻訳】

The effect of tension twin on the dynamic recrystallization behavior in polycrystal magnesium by atomistic simulation

著者 (5件)： Song Shichao (CAS Key Laboratory of Mechanical Behavior and Design of Materials, Department of Modern Mechanics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, People’s Republic of China) ,  Wang Yu (CAS Key Laboratory of Mechanical Behavior and Design of Materials, Department of Modern Mechanics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, People’s Republic of China) ,  Wang Yang (CAS Key Laboratory of Mechanical Behavior and Design of Materials, Department of Modern Mechanics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, People’s Republic of China) ,  Wang Xi (School of Mechanical, Electronic and Control Engineering, Beijing Jiaotong University, Beijing, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhen (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126  号： 1  ページ： 1-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネシウム合金における動的再結晶構造進展に及ぼす[数式:原文を参照]張力双晶効果を研究するために,種々の負荷方向の下で初期[数式:原文を参照]張力双晶を含むマグネシウム多結晶の圧縮変形を,分子動力学法によってシミュレーションした。その結果,動的再結晶現象は,双晶境界に垂直に荷重をかけたときのみ起こることがわかった。原子の運動を追跡することにより,双晶の動的再結晶微細構造の進展が2段階に分けられることが分かった。ステップ1:基底部分転位は双晶境界近くで核形成し,積層欠陥の大きな面積をもたらした。ステップ2:歪エネルギーの蓄積により,非基底すべり系は積層欠陥領域で核形成し,積層欠陥を促進し,六方晶最密構造に回復し,新しい結晶粒を形成する。双晶境界に平行に負荷すると,双晶境界移動が変形過程を支配し,歪エネルギーを解放し,動的再結晶の核形成を抑制した。Copyright 2020 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *多結晶 ,  結晶粒 ,  双晶境界 ,  *動的再結晶 ,  六方晶系 ,  張力 ,  *引張 ,  積層欠陥 ,  部分転位 ,  *マグネシウム ,  歪エネルギー ,  核形成 ,  マグネシウム合金 ,  *双晶 ,  圧縮変形

著者キーワード (5件)： マグネシウム ,  [数式:原文を参照]緊張双晶 ,  圧縮 ,  動的再結晶 ,  双晶境界移動

分類 (5件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子論的シミュレーション ,  多結晶 ,  マグネシウム ,  動的再結晶 ,  挙動 ,  引張 ,  双晶