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J-GLOBAL ID：202002245564223424   整理番号：20A0631240

局所フローティング超接合を持つ低オン抵抗4H-SiC UMOSFET【JST・京大機械翻訳】

Low on-resistance 4H-SiC UMOSFET with local floating superjunction

著者 (2件)： Goh Jinyoung (Department of Electronic Engineering, Sogang University, Seoul, Korea) ,  Kim Kwangsoo (Department of Electronic Engineering, Sogang University, Seoul, Korea)
資料名： Journal of Computational Electronics  (Journal of Computational Electronics)
巻： 19  号： 1  ページ： 234-241  発行年： 2020年 
JST資料番号： A1072A  ISSN： 1569-8025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,改良オン抵抗4H-SiC UMOSFET構造を紹介した。従来のp遮蔽UMOSFETと比較して,局所浮遊超接合(LFS)を有する提案した4H-SiC UMOSFETは,1700Vの絶縁破壊電圧を維持しながら,より低いオン抵抗を示した。この構造はp遮蔽の下に位置する超接合を有する。絶縁破壊電圧を維持しながらオン抵抗を低減するために種々のパラメータに対して最適化した。ゲート電圧が10Vのとき,従来のUMOSFETと最適化したLFS-UMOSFETのオン抵抗は,それぞれ13.75と8.68[数式:原文を参照]である。提案したUMOSFETは比オン抵抗の36.8%減少を示し,性能指数は35.1%改善され,最大電流密度は29%改善された。また,ボディダイオード特性とUIS試験を確認した。すべての結果をSentaurus TCADシミュレーションによって実証した。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *オン抵抗 ,  最適化 ,  *炭化ケイ素 ,  性能指数 ,  浮遊
準シソーラス用語： TCAD ,  ゲート電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  *4H-SiC ,  *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 4H-SiC ,  UMOSFET ,  局所浮遊超接合 ,  抵抗について ,  破壊電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超接合 ,  オン抵抗 ,  4H-SiC