文献

J-GLOBAL ID：202002245752404346   整理番号：20A0646927

パルスレーザ薄膜堆積プロセスにおけるZnO-Co_3O_4セラミックターゲットの組成,構造および形態【JST・京大機械翻訳】

Composition, structure and morphology of ZnO-Co₃O₄ ceramic targets in the process of pulsed laser thin film deposition

著者 (5件)： Kuz’mina A.S. (Irkutsk National Research Technical University, 664074 Irkutsk, Russia) ,  Lotin A.A. (Institute on Laser and Information Technologies of Russian Academy of Sciences - the Branch of the Federal Scientific Research Center “Crystallography and Photonics” of Russian Academy of Sciences, 140700 Shatura, Russia) ,  Strokin N.A. (Irkutsk National Research Technical University, 664074 Irkutsk, Russia) ,  Kuz’min M.P. (Irkutsk National Research Technical University, 664074 Irkutsk, Russia) ,  Kazantsev A.V. (Irkutsk National Research Technical University, 664074 Irkutsk, Russia)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 535  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,KrFエキシマレーザによるレーザアブレーションの前後に,ZnO-Co_3O_4セラミックターゲットの組成,構造および形態の研究の結果を提示した。X線回折分析は,ターゲットの組成がレーザ放射の熱効果の下で変化することを示した:立方構造のCoOの新しい相が形成される(a=4.25Å)。KrFエキシマレーザによるアブレーション後のZnO-Co_3O_4ターゲット中の元素の動径分布を初めて発見した。中心におけるコバルトの原子濃度はターゲットの端部における濃度より数倍高いと決定された。これはレーザ-半導体相互作用の熱モデルで説明できる。レーザアブレーション後のターゲット表面の形態は顕著な変化を受けることが分かった。パルス化ナノ秒レーザ照射は,ターゲット表面上の中心配向円錐形構造とマイクロホイスカの形成を誘起する。ターゲット中のドーピング不純物の濃度が高いほど,表面上に観察される構造の数が大きいことを決定した。蒸気-液晶機構の一般化成長モデルにより,「円錐」と微小ホイスカの形成を説明した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： レーザビーム ,  コバルト ,  *薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  *パルスレーザ ,  ホイスカ ,  半導体 ,  ドーピング ,  不純物 ,  アブレーション ,  *レーザ ,  液晶 ,  相互作用 ,  レーザアブレーション ,  パルス化

著者キーワード (6件)： A1 特性化 ,  A1 結晶構造 ,  A1 成長モデル ,  A2 バルク結晶成長 ,  A3 物理蒸着プロセス ,  B2 半導体II-VI材料

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： パルスレーザ ,  薄膜 ,  堆積 ,  プロセス ,  ZnO ,  セラミック ,  ターゲット ,  組成 ,  形態