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J-GLOBAL ID：202002246021203641   整理番号：20A0590279

放射冷却と光吸収のためのスパッタSiC被覆【JST・京大機械翻訳】

Sputtered SiC coatings for radiative cooling and light absorption

著者 (8件)： Alketbi Afra S. (Khalifa University of Science and Technology, Masdar Institute, Department of Mechanical and Materials Engineering, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Yang Bei (Khalifa University of Science and Technology, Masdar Institute, Department of Mechanical and Materials Engineering, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Yang Bei (Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System, Beijing, China) ,  Raza Aikifa (Khalifa University of Science and Technology, Masdar Institute, Department of Mechanical and Materials Engineering, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Zhang Muhan (Khalifa University of Science and Technology, Masdar Institute, Department of Mechanical and Materials Engineering, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Lu Jin-You (Khalifa University of Science and Technology, Masdar Institute, Department of Mechanical and Materials Engineering, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Wang Zhifeng (Chinese Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System, Beijing, China) ,  Zhang TieJun (Khalifa University of Science and Technology, Masdar Institute, Department of Mechanical and Materials Engineering, Abu Dhabi, United Arab Emirates)
資料名： Journal of Photonics for Energy  (Journal of Photonics for Energy)
巻： 9  号： 3  ページ： 032703  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5085A  ISSN： 1947-7988  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 要約。炭化ケイ素(SiC)被覆の優れた熱機械的および広帯域スペクトル吸収率は,それを高性能オプトエレクトロニクスデバイスおよび光熱応用のための有望な材料にする。スパッタしたSiC被覆を開発することを提案した。(i)受動放射冷却用の広帯域赤外発光体,(ii)スペクトル選択性超薄ナノ複合体吸収体。放射冷却のために,一対の分布Bragg反射器(DBR)を持つスパッタしたままの2.5μm厚のSiC膜をトッピングすることにより,概念デバイスの証明を行った。SiCの赤外表面ポラリトン共鳴により,0.8の広帯域赤外放射率を大気透明窓(8~14μm)で達成した。DBRにおけるより高い屈折率コントラスト(Δn)は,傾斜角堆積法により作製された低屈折率ナノ多孔性SiO_2の上部に高屈折率高密度Si膜を堆積することにより達成された。SiC上のDBRの単一対は,全体の太陽スペクトルの吸収を18%低減する。さらに,放射冷却に及ぼす種々の材料の影響とDBR対の数も数値的に調べた。また,SiCベースのスペクトル選択的太陽吸収体被覆を設計し,作製した。反射基板上のSiC/Ag-SiC/SiCから成るサンドイッチ状構成の超薄SiCベースのナノ複合体吸収体は280~2000nmの波長範囲で91.24%の優れた吸収率を示した。超薄ナノ複合材料(40nm)層のSiCマトリックス内の金属介在物の表面プラズモンポラリトンは広帯域光吸収に寄与したが,SiC(40nm)の最上層は反射防止層として作用した。結論として,スパッタしたSiC被覆の汎用性は,放射冷却およびスペクトル選択太陽吸収体に対して有望であることが証明されている。Copyright 2018 Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *放射冷却 ,  吸収係数 ,  表面ポラリトン ,  *光吸収 ,  赤外線 ,  屈折率 ,  *被覆 ,  太陽 ,  吸収体 ,  *炭化ケイ素 ,  コントラスト ,  スペクトル ,  広帯域 ,  共鳴 ,  介在物

著者キーワード (5件)： 炭化ケイ素 ,  赤外線エミッタ ,  分布Bragg反射器 ,  スペクトル選択吸収体 ,  超薄ナノコンポジット

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放射冷却 ,  光吸収 ,  スパッタ ,  SiC