文献

J-GLOBAL ID：202002246126185473   整理番号：20A1745844

Type-IクラスレートBa₈M₁₆Ge₃₀(M=Al,Ga,In)のキャリア移動度,熱電特性,バンド構造

Carrier mobilities, thermoelectric properties, and band structures of type-I clathrates Ba₈M₁₆Ge₃₀ (M = Al, Ga, In)

著者 (2件)： Kishimoto Kengo (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Akai Koji (Faculty of Global and Science Studies, Yamaguchi University, 1677-1 Yoshida, Yamaguchi 753-8511, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 8  ページ： 081001 (11pp)  発行年： 2020年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表題のクラスレートのキャリア移動度とバンド構造計算から,室温付近でのキャリア散乱機構は音響フォノン散乱ではなく,M原子の置換による合金無秩序散乱であることが明らかになった。また,ケージ内のゲスト原子のラトリング運動が光フォノン散乱によるキャリア移動度に影響を与えるかどうかを調べた。伝導帯ボトムの電子密度はフレームワークの周りではなく,ゲスト原子とフレームワーク原子の間に存在し,置換原子の配置が乱れているために異方的であることがわかった。バンドギャップエネルギーは置換原子の存在に強く依存する。しかし,これらの特徴は置換原子の種類によってあまり変化しない。無次元の性能指数ZTの最大値は,M=Al,Ga,Inの場合,それぞれ940Kで0.65,890Kで0.74,800Kで0.51であり,実験で得られたキャリア濃度に依存する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *包接化合物 ,  *バリウム化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *キャリア移動度 ,  *電気特性 ,  *バンド構造 ,  キャリア散乱 ,  機構 ,  置換型原子 ,  電子密度 ,  エネルギー ,  性能指数 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *クラスレート化合物 ,  *熱電特性 ,  散乱機構 ,  置換原子 ,  バンドギャップエネルギー ,  熱電性能指数

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： クラス ,  レート ,  Ga ,  キャリア移動度 ,  熱電特性 ,  バンド構造