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J-GLOBAL ID:202002246327977200   整理番号:20A1871549

高温中性子照射による単結晶タングステンのD保持と深さプロファイル挙動【JST・京大機械翻訳】

D retention and depth profile behavior for single crystal tungsten with high temperature neutron irradiation
著者 (10件):
資料名:
巻: 539  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0148A  ISSN: 0022-3115  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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中性子による633,963および1073Kで照射された単結晶W(タングステン)試料を,INL(Idaho国立研究所)でTPE(トリチウムプラズマ実験)で,それぞれ673,873および973Kで高フラックスD(重水素)プラズマに曝露した。重水素脱着をTDS(熱脱着分光法)により分析し,D深さプロファイルをSNL(Sandia国立研究所)でのNRA(Nuclear Reactive Analysis)により決定した。HIDT(水素同位体拡散とトラップ)シミュレーションコードを適用して,高温における中性子損傷WのD挙動を評価した。673Kでの中性子損傷試料での3μmまでの深さでのD保持は,非損傷タングステンのそれより2桁大きく,そのD脱着スペクトルは,約900Kで単一の広い段階を有した。中性子照射/プラズマ曝露温度が増加すると,D保持は大幅に減少し,脱着温度は1100K以上で高温にシフトした。また,NRAによるD深さプロフィルは,非損傷Wと比較して,より高い温度照射によるバルクへのDマイグレーションを示した。HIDTシミュレーションは,Dの主要な結合エネルギーが,より高い中性子照射とプラズマ曝露温度で1.43eVから2.07eVへ変化し,いくつかの空孔と小さな空孔クラスタが,大きなボイドを形成するか,または高いDプラズマ曝露温度で弱いトラップのデポピュレーションを形成することを示唆した。より安定なトラッピングサイトは,より高い中性子照射とプラズマ曝露温度でD保持において支配的な役割を果たすと言われている。HIDTシミュレーションによる結合エネルギーは,TMAPによる報告値とほぼ一致したが,TDSで測定した全D保持だけでなく,NRAによるD深さプロフィルも,中性子損傷Wにおけるより正確なD挙動をもたらした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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金属の放射線による構造と物性の変化 
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