文献

J-GLOBAL ID：202002246561910338   整理番号：20A0667205

マイクロピクセル化InGaP/AlGaInP量子井戸構造の特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of micro-pixelated InGaP/AlGaInP quantum well structures

著者 (7件)： Boussadi Younes (Univ. Grenoble Alpes, CEA-LETI (France)) ,  Rochat Nevine (Univ. Grenoble Alpes, CEA-LETI (France)) ,  Barnes Jean-Paul (Univ. Grenoble Alpes, CEA-LETI (France)) ,  Ben Bakir Badhise (Univ. Grenoble Alpes, CEA-LETI (France)) ,  Ferrandis Philippe (Univ. de Toulon, Univ. Grenoble Alpes, CNRS (France)) ,  Masenelli Bruno (Univ. de Lyon (France)) ,  Licitra Christophe (Univ. Grenoble Alpes, CEA-LETI (France))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11302  ページ： 1130221-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,6μmまでの異なる画素サイズと636nmにおける赤色発光を有するマイクロピクセル化InGaP/AlGaInP量子井戸構造に関する構造的および光学的研究を提示した。温度依存光ルミネセンスと陰極線ルミネセンスを結合して,ピクセルスケールでの発光均一性を観測し,側壁欠陥からの非放射再結合の影響を調べた。マイクロLEDは表面再結合により影響され,欠陥に関連した光ルミネセンスの熱消光を推定した。低温では,拡散係数または幾何学的効果により,ピクセル端からより強いルミネセンスが観測された。最後に,材料組成均一性に関する情報を提供するために,TOF-SIMS分析によって研究を完了した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 拡散係数 ,  ルミネセンス ,  低温 ,  光ルミネセンス ,  発光 ,  陰極線ルミネセンス ,  キャラクタリゼーション ,  温度依存性 ,  *量子井戸 ,  画素
準シソーラス用語： 熱消光 ,  表面再結合 ,  非放射再結合 ,  赤色発光 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ピクセル ,  InGaP ,  AlGaInP ,  量子井戸 ,  特性評価