[数式:原文を参照]基板上に成長させた[数式:原文を参照]ナノリッジダイオードの深準位過渡分光法【JST・京大機械翻訳】

Syshchyk O.; Syshchyk O.; Hsu B.; Hsu B.; Yu H.; Motsnyi V.; Vais A.; Kunert B.; Mols Y.; Alcotte R.; Puybaret R.; Waldron N.; Soussan P.; Boulenc P.; Karve G.; Simoen E.; Collaert N.; Puers B.; Van Hoof C.; Van Hoof C.

文献

J-GLOBAL ID：202002246618689944 整理番号：20A2160099

[数式:原文を参照]基板上に成長させた[数式:原文を参照]ナノリッジダイオードの深準位過渡分光法【JST・京大機械翻訳】

Deep-Level Transient Spectroscopy of [Formula : see text] Nanoridge Diodes Grown on [Formula : see text] Substrates

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著者 (20件)： , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 14 号： 2 ページ： 024093 発行年： 2020年
JST資料番号： W3691A ISSN： 2331-7019 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

モノリシックに統合した[数式:原文を参照] p-i-nダイオードを,ナノリッジエンジニアリング法を用いて300mmの[数式:原文を参照]基板上に示した。深準位過渡分光法(DLTS)を用いてナノリッジと平面[数式:原文を参照]ダイオードの欠陥解析を行った。[数式:原文を参照]による点欠陥,EL2をナノリッジp-i-nダイオードで観察した。DLTSスペクトルから表面状態密度([数式:原文を参照])を直接抽出する方法を開発した。[数式:原文を参照]ナノリッジダイオードは,平面ダイオードのほぼ[数式:原文を参照]と比較して[数式:原文を参照]を示した。暗電流と欠陥密度の間に明確な相関が観察された。[数式:原文を参照] p-i-nダイオードの漏れ電流低減に及ぼすその場およびex situ不動態化層の影響を調べた。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体の格子欠陥 , 半導体-金属接触

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