van der Waals補正半局所密度汎関数からの分子-表面相互作用  遷移金属表面上のチオフェンの例【JST・京大機械翻訳】

Adhikari Santosh; Tang Hong; Neupane Bimal; Ruzsinszky Adrienn; Csonka Gabor I.

文献

J-GLOBAL ID：202002246672171829 整理番号：20A0599531

van der Waals補正半局所密度汎関数からの分子-表面相互作用遷移金属表面上のチオフェンの例【JST・京大機械翻訳】

Molecule-surface interaction from van der Waals-corrected semilocal density functionals: The example of thiophene on transition-metal surfaces

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資料名：
巻： 4 号： 2 ページ： 025005 発行年： 2020年
JST資料番号： W3690A ISSN： 2475-9953 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半局所密度汎関数近似は広く使われている。それらのいずれも,分離サブシステム間の長距離van der Waals(vdW)引力を捉えることができないが,それらは隣接する小さな閉鎖シェルサブシステム間の平衡結合の原因となる中間範囲vdW効果を捕捉する程度で著しく異なる。局所密度近似(LDA)はしばしばこの効果を過大評価するが,Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)一般化勾配近似(GGA)はそれを過小評価する。強く制約され,適切に正規化された(SCAN)メタGGAは,それをよく推定することが多い。これらの半局所汎関数の全ては,長距離部分を捕捉するために改訂Vydrov-Van Vooris 2010(rVV10)のような付加的非局所補正を必要とする。本研究は,遷移金属表面に結合した芳香族チオフェン([数式:原文を参照])の吸着エネルギーと対応する幾何構造を報告する。吸着プロセスは共有結合と弱い結合の真の相互作用を必要とし,吸着サイトの正確な予測により表面と吸着エネルギーの同時正確な記述を必要とする。これらのすべての量は,化学的精度との弱い相互作用に対する普遍的に適用可能な方法に対して,バランスのとれた短距離および長距離相関効果に由来しなければならない。著者らの方法は,正しい相互作用が,最近のメタGGAとrVV10のどんな組合せにも存在しないことを示した。GGAとvdW近似の組合せにおいて実質的に成功するvdW補正スキームの簡単な短距離減衰は,SCAN+rVV10または改訂版,revSCAN+rVV10においてより少ない。さらに,ZarembaとKohnの一つに基づくモデルからの正確なランダム位相近似品質吸着エネルギーを示した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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吸着の電子論

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van der Waals補正半局所密度汎関数からの分子-表面相互作用 遷移金属表面上のチオフェンの例【JST・京大機械翻訳】

van der Waals補正半局所密度汎関数からの分子-表面相互作用遷移金属表面上のチオフェンの例【JST・京大機械翻訳】