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J-GLOBAL ID：202002246894939349   整理番号：20A1235619

エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送ジチオフェン-ベンゼン共重合体

Hole transport dithiophene-benzene copolymer for electroluminescence devices

著者 (5件)： Tachibana Hiroaki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Toda Naoya (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Takada Noriyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Chikamatsu Masayuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Azumi Reiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8565, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SC  ページ： SCCA01 (5pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液可溶性ジチオフェン-ベンゼン共重合体(DTB)薄膜の光学特性及び電子特性に及ぼす熱処理の影響を調べた。熱処理はDTB薄膜のエレクトロルミネッセンス(EL)性能とDTB薄膜トランジスタ(TFT)の電荷輸送特性に影響を与えた。DTB-TFTは100°Cで加熱することで最適なホールモビリティを示した。原子間力顕微鏡観察では,加熱によりドメインが大きくなるほど形態が変化し,X線回折では,100°Cでの熱処理後に結晶化度がわずかに上昇することが観察された。その結果,100°Cでの熱処理により,DTBデバイスのEL性能が大幅に向上した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *輸送現象 ,  *硫黄複素環化合物 ,  *芳香族化合物 ,  *共重合体 ,  高分子薄膜 ,  光学的性質 ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  結晶度 ,  *正孔輸送 ,  電荷輸送 ,  正孔移動度 ,  *ジチオフェン誘導体 ,  *ベンゼン誘導体
準シソーラス用語： *エレクトロルミネセンスデバイス ,  *ジチオフェン類 ,  *ベンゼン類 ,  熱処理効果 ,  有機薄膜トランジスタ ,  結晶化度

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： エレクトロルミネッセンス素子 ,  正孔輸送 ,  ベンゼン ,  共重合体