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J-GLOBAL ID：202002246971236452   整理番号：20A2447515

炭化ケイ素上のレーザビーム微小彫刻【JST・京大機械翻訳】

Laser beam micro engraving on silicon carbide

著者 (6件)： Phipon R. (Department of Mechanical Engineering, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, India) ,  Shivakoti I. (Department of Mechanical Engineering, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, India) ,  Kalita K. (Department of Mechanical Engineering, Vel Tech Rangarajan Dr. Sagunthala R&D Institute of Science and Technology, Avadi, Chennai, India) ,  Kibria G. (Department of Mechanical Engineering, Aliah University, Kolkata, India) ,  Sharma A. (Department of Mechanical Engineering, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, India) ,  Ghadai R. K. (Department of Mechanical Engineering, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, India)
資料名： Materials and Manufacturing Processes  (Materials and Manufacturing Processes)
巻： 35  号： 12  ページ： 1372-1382  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2135A  ISSN： 1042-6914  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ABSTRACT:ここで提示した研究は,炭化ケイ素材料のレーザマイクロエングレービングを扱う。レーザパラメータを考慮した実験は,電流,パルス周波数および走査速度であった。実験の設計は,田口直交配列の助けを借りて実行した。MRRとマーク幅に関するレーザマイクロエングレービング変数の重要性を研究した。その結果,レーザパラメータがMRRとマーク幅に著しい影響を及ぼすことが分かった。電流を,両方のシナリオにおいて,パルス周波数と走査速度によって,顕著な因子と決定した。得られた結果は,レーザビームが炭化けい素のエングレービングプロセスに効率的に利用できることを示した。さらに,WASPAS,MOORA,EDASおよびTOPSISのような様々な意思決定技術を比較し,最適エングレービング条件を達成した。良好な材料除去とマーク幅を同時に得るためには,高いパルス周波数と低い走査速度と共に中レベル電流が理想的である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  意思決定 ,  *炭化ケイ素 ,  *レーザビーム ,  直交配列
準シソーラス用語： 走査速度 ,  材料除去 ,  パルス周波数 ,  TOPSIS方法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 彫刻 ,  レーザ ,  マイクロマシニング ,  多基準 ,  最適化

分類 (2件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化ケイ素 ,  レーザビーム ,  微小 ,  彫刻