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J-GLOBAL ID：202002247000745596   整理番号：20A0198607

単結晶シリコンの高速引かきにおける相変態に及ぼす引かき速度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of scratching speed on phase transformations in high-speed scratching of monocrystalline silicon

著者 (4件)： Wang Bing (George W. Woodruff School of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Melkote Shreyes N. (George W. Woodruff School of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Saraogi Swagath (George W. Woodruff School of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Wang Peizhi (George W. Woodruff School of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA)
資料名： Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing  (Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing)
巻： 772  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0589B  ISSN： 0921-5093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高速引かき試験における(100)単結晶シリコンの相変態を調べた。シリコンの種々の相変態を,1mm/minから25m/sまでの広範囲の速度にわたって,顕微Raman分光法を用いて検出した。強いRaman強度をもつウルツ鉱型シリコン(Si-IV)相がすべてのスクラッチで観察された。スクラッチ溝中心におけるSi-IVに対する非晶質シリコンのRaman強度比は,10~5mm/minの引かき速度を超えて指数関数的に増加し,残留スクラッチ深さの減少をもたらした。試験は,シリコンの相変態に及ぼす引かき速度の影響の基礎的理解を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 顕微Raman分光法 ,  Raman強度 ,  アモルファスシリコン ,  *ケイ素 ,  Raman分光法 ,  指数関数 ,  引かき試験
準シソーラス用語： スクラッチ ,  *単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 相変態 ,  Raman分光法 ,  シリコン ,  高速引かき

分類 (2件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶シリコン ,  相変態