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J-GLOBAL ID：202002247020414183   整理番号：20A0190598

レーザ加熱により研究した1400~1800°Cの温度範囲における水蒸気中の炭化ケイ素の酸化速度論【JST・京大機械翻訳】

Oxidation kinetics of silicon carbide in steam at temperature range of 1400 to 1800 °C studied by laser heating

著者 (5件)： Pham Hai Vu (Collaborative Laboratories for Advanced Decommissioning Science, Japan Atomic Energy Agency, Fukushima, Japan) ,  Nagae Yuji (Collaborative Laboratories for Advanced Decommissioning Science, Japan Atomic Energy Agency, Fukushima, Japan) ,  Kurata Masaki (Collaborative Laboratories for Advanced Decommissioning Science, Japan Atomic Energy Agency, Fukushima, Japan) ,  Bottomley David (Collaborative Laboratories for Advanced Decommissioning Science, Japan Atomic Energy Agency, Fukushima, Japan) ,  Furumoto Kenichiro (Mitsubishi Nuclear Fuel Co. Ltd, Ibaraki, Japan)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 529  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 事故耐性燃料に期待されるように,設計基準事故シナリオを超えた炭化ケイ素の水蒸気酸化の研究が必要である。1600°Cの温度でのSiCの水蒸気酸化に焦点を当てた多くの研究が文献で報告されている。しかし,1600°C以上の温度での水蒸気中のSiCの挙動は依然として不明である。この作業を完了するために,極端な温度で蒸気酸化のためのレーザ加熱施設を設計し製作した。この施設を用いて,大気圧下での1~7時間の短期間曝露に対する1400~1800°Cの温度範囲におけるSiCの水蒸気酸化挙動に関する最初の結果を報告した。SiC試料の質量変化に基づいて,放物線酸化速度と線形揮発速度を計算し,kp=exp(1.44±1.8+-96±30kJmol-1RTK)とkl=exp(4.7±0.6+-95±10kJmol-1RTK)とした。酸化層は水蒸気中で1800°Cで維持されるように見えるが,気泡形成現象は他の揮発反応がその寿命を制限する可能性があることを示唆している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化 ,  酸化層 ,  *炭化ケイ素 ,  設計基準事故 ,  *レーザ加熱 ,  線形性 ,  気泡
準シソーラス用語： 揮発 ,  *酸化速度 ,  酸化挙動 ,  水蒸気酸化 ,  *酸化速度論 ,  *温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiC ,  水蒸気酸化 ,  事故耐性燃料 ,  レーザ加熱

分類 (1件)： 燃料要素  (MD04030E)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザ加熱 ,  研究 ,  温度範囲 ,  水蒸気 ,  炭化ケイ素 ,  酸化速度論