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J-GLOBAL ID：202002247036054784   整理番号：20A1235650

埋め込まれたFドープSnO₂/TiO₂接合におけるミッドギャップ界面状態に起因する新しい光反射信号

A new photoreflectance signal possibly due to midgap interface states in buried F-doped SnO₂/TiO₂ junctions

著者 (4件)： Kobayashi Eiichi (Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan) ,  Shimmura Shuhei (Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan) ,  Ito Seigo (Department of Materials and Synchrotron Radiation Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo, 671-2280, Japan) ,  Makino Takayuki (Department of Electric and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SC  ページ： SCCB23 (5pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FドープSnO₂とアナターゼTiO₂をスプレー熱分解した接合において,250K以上の温度での光反射スペクトルに新たな光学異常を発見した。室温でのこの異常のエネルギー位置は,TiO₂のバルク光遷移に関連するものよりもかなり低い。その強度は温度上昇に対して単調に増加する。これらの実験結果は,この新しい異常はTiO₂の価電子帯からミッドギャップ界面状態への光転移に由来することを示唆している。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化スズ ,  酸化チタン ,  ヘテロ接合 ,  エネルギーギャップ ,  バンドギャップ ,  *表面準位 ,  *光反射 ,  アナターゼ ,  熱分解 ,  電子遷移 ,  価電子バンド ,  相転移
準シソーラス用語： *フッ素ドープ酸化スズ ,  二酸化チタン ,  ミッドギャップ ,  *界面状態 ,  スプレー熱分解 ,  光学遷移 ,  価電子帯 ,  光転移

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  TiO2 ,  ミッドギャップ ,  界面状態 ,  起因 ,  光反射