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J-GLOBAL ID：202002247097853609   整理番号：20A2564891

プレおよびポスト多層pHEMTに対する局所不整合および雑音研究【JST・京大機械翻訳】

Local mismatch and noise investigation for pre and post multilayer pHEMTs

著者 (5件)： Alim Mohammad A. (Electrical and Electronic Engineering, University of Chittagong, Bangladesh) ,  Jahan I. (Electrical and Electronic Engineering, University of Chittagong, Bangladesh) ,  Nipu N.J. (Electrical and Electronic Engineering, University of Chittagong, Bangladesh) ,  Naher S. (Electrical and Electronic Engineering, University of Chittagong, Bangladesh) ,  Rezazadeh Ali A. (Former Professor of Electrical and Electronic Engineering, The University of Manchester, Manchester, UK)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 20  号： 12  ページ： 1314-1320  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の重要な目的は,活性デバイス上のプレおよびポスト多層構造の局所不整合を調査することである。隣接デバイス間の同じセル内の同じウエハ上の5つのプレおよびポスト多層構造pHEMTを考察した。局所不整合の研究が良好な収率を確実にし,技術に関する洞察を得る方法として,多層構造化の影響を含む様々な比較を行う。デバイスの2-DEGの閾値電圧,ビルトイン電位およびネットドーピング濃度を,容量-電圧データを通して抽出した。トランジスタの根底にある電気的パラメータならびにRF性能指数を解析した。マイクロ波雑音関連パラメータ,すなわち最小雑音指数,会合利得,雑音抵抗,最適反射の大きさについても考察し,検討した。Centre-to-edgeミスマッチは,デバイス間の性能の小さな変化をもたらす。これらの研究は,3D多層MMICsにおける将来のコンパクト構造の固体,熟達および低コスト発電の進歩に役立つであろう。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *雑音 ,  電圧 ,  電位 ,  トランジスタ ,  マイクロ波 ,  発電 ,  雑音指数 ,  雑音抵抗 ,  多層構造 ,  利得 ,  三次元 ,  MMIC
準シソーラス用語： *PHEMT ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ミスマッチ ,  pHEMT ,  3D MMIC ,  騒音 ,  多層構造

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層 ,  PHEMT ,  不整合 ,  雑音 ,  研究