文献
J-GLOBAL ID:202002247342626818   整理番号:20A0649490

効率的な光触媒水素発生のための硫化カドミウムナノロッド上のリン化ニッケルの高露出(001)ファセットNi(OH)_2誘起形成【JST・京大機械翻訳】

Highly exposed (001) facets Ni(OH)2 induced formation of nickle phosphide over cadmium sulfide nanorods for efficient photocatalytic hydrogen evolution
著者 (8件):
資料名:
巻: 45  号: 16  ページ: 9397-9407  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0192B  ISSN: 0360-3199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
CdSナノロッド上に露出した(001)ファセットを有するβ-Ni(OH)_2ナノシートをリン酸化することにより,光触媒水素発生のための効率的なNi_2P-CdS光触媒を合成した。得られたNi_2P-CdS複合材料は可視光照射下で10vol%の乳酸中で68.47mmolg(-1)h(-1)の優れた安定な光触媒水素発生速度を示し,純粋なCdSナノロッドよりも17倍以上高かった。過渡光電流応答,EIS測定,Mott-Schottkyプロット,酸性LSV測定,およびPLスペクトルは,Ni_2P負荷がCdSナノロッド中の光励起電子-正孔対の分離を著しく改善し,CdSの水素発生能力を強化できることを証明した。これらの改善は,CdSからの光発生電子のトラッピングの高い能力,全Fermi準位の上昇,および複合材料の水素発生過電圧の低下などのNi_2Pの特徴によって達成される。結果は,(001)ファセットの高い露出度を有するβ-Ni(OH)_2前駆体が,CdSナノロッド上の(001)ファセット曝露Ni_2P共触媒のエピタキシャル形成に寄与し,その結果,複合材料のFermi準位と水素発生過電圧がさらに上昇し,低下することを示した。本研究は,効果的な光触媒水素発生のためのCdSナノロッド上に高度に露出した活性ファセットを有する高性能共触媒を作製するための新規前駆体由来ルートを提供した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
気体燃料の製造  ,  光化学反応 

前のページに戻る