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J-GLOBAL ID：202002247572500689   整理番号：20A1204385

効率的電界放出のための金属発泡体-カーボンナノチューブ還元グラフェン酸化物階層構造【JST・京大機械翻訳】

Metal foam-carbon nanotube-reduced graphene oxide hierarchical structures for efficient field emission

著者 (5件)： Kaur Gurjinder (Nanomaterials and Applications Lab., Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India) ,  Pulagara Narasimha Vinod (Nanomaterials and Applications Lab., Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India) ,  Kumar Raj (Nanomaterials and Applications Lab., Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India) ,  Lahiri Indranil (Nanomaterials and Applications Lab., Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India) ,  Lahiri Indranil (Centre of Excellence: Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 106  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ(CNTs)を化学蒸着(CVD)プロセスにより銅とニッケル発泡体上に直接成長させ,続いてディップコーティング法により還元酸化グラフェン(rGO)を堆積させた。これらの三次元ハイブリッド構造を冷陰極として用い,DCバイアス印加下で電界放出試験を行った。金属発泡体上に成長したCNTの電界放出応答をrGO被覆CNT試料と比較した。電界放出の結果は,rGOシートにおける鋭い突起の形成により,CNT上へのrGO堆積後に,放出電流密度と電界増強因子が著しく増強されることを実証した。鋭い突起の先端における局所場増強により,トンネリングが可能になり,従って,すべての研究したエミッタの中で,かなり低い電圧での電子の放出が,64mA/cm2の最大放出電流密度,0.71の最低ターンオン電界,および15999の最高電界増強因子を示した。金属発泡体に基づく三次元電界放出体の優れた電界放出特性は,種々の電界放出応用における合成陰極の可能性を示唆している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *電場 ,  *電界放出 ,  トンネル効果 ,  銅 ,  ニッケル ,  被覆 ,  電流密度 ,  化学蒸着 ,  三次元 ,  *カーボンナノチューブ ,  カソード ,  複合構造
準シソーラス用語： 冷陰極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 三次元階層ナノ構造 ,  カーボンナノチューブ ,  還元酸化グラフェン ,  金属フォーム ,  電界放出

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界放出 ,  発泡体 ,  カーボンナノチューブ ,  還元グラフェン酸化物 ,  階層構造