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J-GLOBAL ID：202002247671662504   整理番号：20A0531085

直接窒化戦略により合成したEuドープAlNナノワイヤの高圧光ルミネセンス特性と構造安定性【JST・京大機械翻訳】

High pressure photoluminescence properties and structural stability of Eu doped AlN nanowires synthesized via a direct nitridation strategy

著者 (8件)： Wang Qiushi (College of New Energy, Bohai University, Jinzhou, 121013, China) ,  Wu Wanze (College of New Energy, Bohai University, Jinzhou, 121013, China) ,  Wang Kai (College of Physics and State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  Zheng Huiling (College of New Energy, Bohai University, Jinzhou, 121013, China) ,  Zhu Ge (College of New Energy, Bohai University, Jinzhou, 121013, China) ,  zhang Jian (College of Science, Beihua University, Jilin, 132000, China) ,  Cui Hang (College of Physics and State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun, 130012, China) ,  Cui Qiliang (College of Physics and State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun, 130012, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 823  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高アスペクト比EuドープAlN(AlN:Eu)ナノワイヤ(NW)を直接窒化戦略により合成した。NWは紫外線励起下で5d-4f遷移の強い緑色発光を示した。AlN:Eu NWに対する光ルミネセンス(PL)スペクトルとシンクロトロン角度分散X線回折(ADXRD)を30GPa以上の静水圧下で行った。発光バンドの圧力誘起単調赤方偏移(dλ/dP≒5.9nm GPa~(-1))と発光バンド幅の変化を可視光圧力センサの圧力と相関させた。圧力が約20GPaに達すると,ウルツ鉱から岩塩へのAlN:Eu NWの相転移がPLバンドとADXRDピークの出現により見出された。他のイオンをドープしたAlNと比較して,AlN:Eu NWにおける転移圧力と体積弾性率の増強は,Eu2+とEu3+イオンの共ドーパントによって引き起こされると考えられる。本研究は広いバンドギャップの窒化物半導体への大サイズ希土類イオンのドーピングに対する効果的な戦略を提供し,組成を変えることなく圧力を通して光学的性質を調整するための直接的な経路を実証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ユウロピウム ,  イオン ,  *ナノワイヤ ,  可視光 ,  *光ルミネセンス ,  相転移 ,  紫外線 ,  発光 ,  X線回折 ,  ドーパント ,  *窒化アルミニウム ,  *ドーピング ,  バンドギャップ ,  静水圧 ,  *窒化

著者キーワード (4件)： AlN ,  希土類ドープ ,  高圧 ,  光ルミネセンス

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (9件)： 窒化 ,  戦略 ,  Eu ,  ドープ ,  AlN ,  ナノワイヤ ,  高圧 ,  光ルミネセンス ,  構造安定性