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J-GLOBAL ID：202002247682164273   整理番号：20A1389316

触媒活性向上に基づくg-C3N4の表面活性化,増感および機能化に関する研究【JST・京大機械翻訳】

A Review of Surface Activation,Sensization and Functionalization of g-C3N4 Based on Promoting Catalytic Performance

著者 (6件)： Yu Huili (江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,南京 211167;南京工程学院材料科学与工程学院,南京 211167) ,  Hang Zusheng (江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,南京 211167;南京工程学院材料科学与工程学院,南京 211167) ,  Huai Xu (江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,南京 211167;南京工程学院材料科学与工程学院,南京 211167) ,  Huang Yuan (江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,南京 211167;南京工程学院材料科学与工程学院,南京 211167) ,  Zhang Chunxiang (江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,南京 211167;南京工程学院材料科学与工程学院,南京 211167) ,  Zhang Jinquan (江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,南京 211167;南京工程学院材料科学与工程学院,南京 211167)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 34  号： 11  ページ： 121-128  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： グラファイト型窒化炭素(g-C3N4)は電子リッチ有機半導体であり、最高被占分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUMO)の間にバンドギャップが2.7eVであり、良好な光触媒性能を有する。従来の光触媒と比べ、g-C3N4は金属元素を含まず、バンドギャップが狭く、化学安定性が良く、構造が調節しやすく、調製が簡単であるため、次第に光触媒発展の焦点となっている。しかし、窒素リッチ有機前駆体の熱重縮合によって形成したg-C3N4は不完全重合のため、依然として大量の構造欠陥が存在している。光触媒反応において、構造欠陥は電子-正孔対の複合中心としてよく充満し、電荷分離効率を大きく低下させ、光触媒活性の低下を招く。また、g-C3N4の導電性は弱く、体相中の光生成電子が表層に遷移し、巨大なエネルギーを消費し、さらに、光生成電子の還元ポテンシャルの低下を引き起こし、g-C3N4の触媒効果を低下させる。また、塊状g-C3N4は比表面積が小さく、液相分散性が悪いなどの欠点がある。まとめると、g-C3N4触媒の安定性、触媒活性はよくなく、その関連分野の発展を非常に制限している。近年、高安定性、高触媒活性のg-C3N4触媒の開発が研究の焦点となっている。近年、研究者達はテンプレート法、元素ドーピング、共重合、貴金属堆積あるいは半導体複合などの修飾方法を採用してg-C3N4の光触媒活性を高め、それを光分解水水素発生、有機汚染物分解、人工光合成、応用に応用した。抗菌と有機官能基の選択的変換など。しかし、上述の修飾方法は、主にg-C3N4の電子特性に基づいて、その基質に対して制御を行う。触媒反応は主に光触媒表面で行われるので,g-C3N4の表面改質は,より経済的で効果的な方法である。本論文では、g-C3N4表面改質の研究進展を総説し、まずg-C3N4の表面官能基状態を分析し、その後、活性化、増感及び表面機能化の三つの面から、g-C3N4表面改質の研究現状を総説し、最後に、将来の発展方向について展望した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 有機半導体 ,  貴金属 ,  グラファイト ,  共重合 ,  重縮合 ,  *触媒活性 ,  *増感 ,  ドーピング ,  HOMO ,  LUMO ,  光触媒 ,  バンドギャップ ,  導電性 ,  官能基 ,  光触媒活性

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 触媒活性 ,  表面活性化 ,  増感 ,  研究