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J-GLOBAL ID：202002247757994305   整理番号：20A0837818

I_2取り込みによる多孔質インジウム系金属-有機骨格の電気伝導率の増強:実験と理論の組合せ研究【JST・京大機械翻訳】

Enhancement in electrical conductivity of a porous indium based metal-organic framework upon I₂ uptake: combined experimental and theoretical investigations

著者 (6件)： Mani Prabu (School of Chemistry, Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram, Thiruvananthapuram, Kerala 695551, India. [e-mail]) ,  Mandal Nilangshu ,  Roopesh Mekkat ,  Gopalakrishnan Harikrishnan ,  Datta Ayan ,  Mandal Sukhendu
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 14  ページ： 4836-4842  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日まで,導電性有機金属フレームワーク(C-MOFs)の直接合成は非常に挑戦的な課題であり,エレクトロニクス分野におけるMOF材料の応用を制限している。本研究では,ゲスト分子(ヨウ素)をインジウム系MOFのミクロ細孔に組み込み,約1000倍の電気伝導率の増強をもたらした。このI_2取り込み過程により,光学バンドギャップエネルギーは約58%低下した。実験と理論研究の組合せにより,細孔内のI_2分子の存在を確認した。DFT計算は,チオフェンカルボン酸塩リンカーとI_2の間の分散相互作用が空洞内のI_2ユニットを保持し,より高い結合エネルギーを与えることを示した。それは電荷輸送のための新しい経路をもたらす。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多孔性 ,  *インジウム ,  光学ギャップ ,  カルボン酸塩 ,  電子技術 ,  結合エネルギー ,  *電気伝導率 ,  密度汎関数法 ,  細孔 ,  導電性 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  ゲスト分子 ,  直接合成 ,  *MOF【配位高分子】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： チオフェン

タイトルに関連する用語 (10件)： 取り込み ,  多孔質 ,  インジウム ,  金属-有機骨格 ,  電気伝導率 ,  増強 ,  実験 ,  理論 ,  組合せ ,  研究