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J-GLOBAL ID：202002247795248255   整理番号：20A1923504

BiFeO_3薄膜の強誘電,強磁性及び光学特性に及ぼすMnドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Mn doping on ferroelectric, ferromagnetic and optical properties of BiFeO₃ thin films

著者 (11件)： Wang X.W. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Liang Y.F. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Sun L.Y. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Guo S.Q. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Venkatesh K.S. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Wang X.E. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Hou M.Z. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Shang S.Y. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Shang J. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Hu Y.C. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China) ,  Yin S.Q. (Laboratory of Functional Materials, School of Physics, Henan Normal University, and Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Xinxiang 453007, China)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 594  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MnドープBiFeO_3膜を,スピンコーティング法によりフッ素ドープ酸化スズ導電性ガラス上に化学溶液堆積法により調製した。XRDパターンはBiFeO_3膜中にBi_2Fe_4O_9の不純物相の存在を明らかにし,一方Mnドープ薄膜では不純物相は見られなかった。XPSスペクトルは,所望の元素のみを示すことにより,調製した薄膜の純度を実証し,また,MnドーピングがFe3+原子価の変化を抑制することを示した。漏れ電流結果は,Mnドーピングが,微細構造の変化およびFeイオン原子価の拘束によってもたらされる伝導機構の変化を引き起こすことを示した。BiFe_0.95Mn_0.05O_3薄膜は27μC/cm2の高い残留分極(P_r)値を有する良好な強誘電性能を有した。MnドープBiFeO_3膜はBiFeO_3薄膜よりも強い飽和磁化を示した。UV vis NIR透過スペクトルは,光学特性を示し,それは,光学バンドギャップが,Mn濃度の増加に伴い減少することを示す。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *強磁性 ,  *光学的性質 ,  *薄膜 ,  不純物 ,  飽和磁化 ,  *マンガン ,  強誘電性 ,  純度 ,  原子価 ,  *ドーピング ,  スペクトル ,  漏れ電流 ,  光学ギャップ ,  残留分極

著者キーワード (4件)： BiFe_1-xMn_xO_3 ,  化学溶液堆積法 ,  強誘電体 ,  強磁性

分類 (2件)： 磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  強磁性 ,  光学特性 ,  Mn ,  ドーピング