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J-GLOBAL ID:202002247803808678   整理番号:20A0616729

高性能電気化学センサの設計:DFT研究による検出機構の解明【JST・京大機械翻訳】

Design of high-performance electrochemistry sensors: Elucidation of detection mechanism by DFT studies
著者 (6件):
資料名:
巻: 860  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0037A  ISSN: 1572-6657  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Hg2+汚染は低濃度でもヒトの健康と環境に重大なリスクをもたらした。そして,それは腎臓不全や種々の運動障害のような臓器に重度の損傷を引き起こす可能性がある。ここでは,Hg2+に対する高性能電気化学センサを設計し,センサ特性を大幅に改善した。これは主に,導入したSchottky障壁からCuO/Cu/PPy電極に至る。物理的障壁から利益を得て,CuO/Cu/PPy電極は電荷再分布と高いHg2+吸着エネルギーを発揮し,実験的および理論的に証明された。Mulliken電荷の分析は,Schottky障壁とPPyの電荷密度ギャップが,Hg2+の吸着により,より大きくなり,反応速度を加速し,Hg2+に対してより役に立つことを示した。期待されるように,優れたセンサ能力,特に高感度に検出されたHg2+は,50pMから100nMの広い直線範囲で,29.35pMの低いLODを有し,海水中の標的分子を顕著な回収率で容易に識別できた。実験的および理論的結果は,電気化学センサへの導入された物理的障壁が新しいセンサの開発のための有効な手段であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電気化学反応 
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