窒化チタン/Gd_2O_3/Au RRAMデバイスの抵抗スイッチング特性の多因子誘起進展【JST・京大機械翻訳】

Sun C.; Sun C.; Lu S.M.; Lu S.M.; Jin F.; Jin F.; Mo W.Q.; Mo W.Q.; Song J.L.; Song J.L.; Dong K.F.; Dong K.F.

文献

J-GLOBAL ID：202002248106905391 整理番号：20A0125264

窒化チタン/Gd_2O_3/Au RRAMデバイスの抵抗スイッチング特性の多因子誘起進展【JST・京大機械翻訳】

Multi-factors induced evolution of resistive switching properties for TiN/Gd₂O₃/Au RRAM devices

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資料名：
巻： 816 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Gd_2O_3ベースのメモリデバイスの抵抗スイッチング性能を増加させるために,RRAMデバイスに及ぼす厚さ,堆積温度,およびドーピング方法を含む多因子の影響を見つけることが望ましかった。本論文では,Gd_2O_3膜の厚さの減少がRRAMデバイスの耐久性を増加させ,高温堆積Gd_2O_3ベースのデバイスが耐久性と同様により良い均一性を示すことを報告した。高温堆積素子の改善の理由は,室温堆積Gd_2O_3膜と比較して,Gd_2O_3膜のO欠陥含有量が大きいためであった。さらに,薄いおよび高温で堆積したGd_2O_3膜の組合せは,RRAMデバイスの特性をさらに改善することができ,一方,厚さと堆積温度を統合したドーピング法は,非ドープ素子と比較して,特性において利点を示さなかった。本論文における研究は,抵抗スイッチングプロセスに及ぼすGd_2O_3膜の多因子誘起効果を明らかにした。それはRRAMデバイス領域に適用される可能性がある。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体集積回路

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