文献

J-GLOBAL ID：202002248240595964   整理番号：20A2257718

大面積黒リン-C_60薄膜とヘテロ接合光検出器のLangmuir-Blodgett作製【JST・京大機械翻訳】

Langmuir-Blodgett fabrication of large-area black phosphorus-C₆₀ thin films and heterojunction photodetectors

著者 (6件)： Mao Jian (Department of Engineering Physics, Polytechnique Montreal, Montreal, H3C3A7, QC, Canada. [e-mail]) ,  Ortiz Orlando ,  Wang Junjia ,  Malinge Alexandre ,  Badia Antonella ,  Kena-Cohen Stephane
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 38  ページ： 19814-19823  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブラックリン(BP)は,エレクトロニクス,オプトエレクトロニクス,およびエネルギー貯蔵における応用のための有望な二次元(2D)半導体として浮上している。多くの2D材料の場合,大面積BP薄膜の製作はかなりの課題となっている。ここでは,Langmuir-Blodgett(LB)技術を用いて,コンパクトな薄膜へのBPナノシートの集合について報告する。ナノシートが物理吸着によりフラーレンC_60分子によって囲まれると,BPナノシート間の重なり積層は抑制された。これは,均一なナノシート分布と無視できる酸化を有する大面積BP膜(20mm×18mm)の作製を可能にする。作製した膜は2.3μmまで測定可能な吸収を示した。活性層としてこれらの膜を用いて,可視から近赤外までのmA W-1スケールの応答性を有するmmサイズのBPヘテロ接合光検出器を実証した。660nmと808nmの光検出器内部量子効率はそれぞれ5%と1%であった。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  近赤外線 ,  電子技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  エネルギー貯蔵 ,  活性層 ,  物理吸着 ,  ナノシート
準シソーラス用語： 大面積 ,  内部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大面積 ,  黒リン ,  薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  光検出器 ,  作製