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J-GLOBAL ID：202002248430207157   整理番号：20A0748440

GeC/GaN VDWヘテロ接合:全水分解と太陽エネルギー変換の有望な光触媒【JST・京大機械翻訳】

GeC/GaN vdW Heterojunctions: A Promising Photocatalyst for Overall Water Splitting and Solar Energy Conversion

著者 (3件)： Lou Ping (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Korea) ,  Lou Ping (Department of Physics, Anhui University, Anhui, China) ,  Lee Jin Yong (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 12  ページ： 14289-14297  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元van der Waals(vdW)ヘテロ接合は光触媒水分解と太陽エネルギー変換の有望な候補と見なされている。ここでは,GaN単分子層とGeC単分子層が積層された二次元GeC/GaN vdWヘテロ構造を提案した。結合エネルギー,フォノンスペクトルおよび弾性定数は,この材料の高い動的および機械的安定性を示した。最も注目すべきことに,GWバンド構造,GW+Be-Salpeter方程式(BSE)光吸収スペクトル,および密度汎関数理論(DFT)スキームと経験式のバンドアラインメントは,GeC/GaN vdWヘテロ構造が可視領域において劇的に高い光吸収係数(約10~5cm-1)を有し,水素発生反応(ΔE_c≧1.945eV)および酸素発生反応(ΔE_v≧1.244eV)の十分大きな速度論的過電圧を有することを明らかにした。GeC単分子層およびGaN単分子層表面上にそれぞれ光生成電子および正孔が凝集し,このヘテロ接合を光触媒水分解および太陽エネルギー変換のための有望な候補とすることができた。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  結合エネルギー ,  正孔 ,  バンド構造 ,  弾性係数 ,  過電圧 ,  単分子層 ,  二次元 ,  *窒化ガリウム ,  密度汎関数法 ,  *光触媒
準シソーラス用語： 可視領域 ,  ヘテロ構造 ,  *水分解 ,  *太陽エネルギー変換 , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ヘテロ接合 ,  水分解 ,  太陽エネルギー変換 ,  光触媒